本文档介绍的是AP2307GN-HF-VB,一款采用SOT23封装的P-Channel场效应MOS管,由VBSEMICONDUCTORS公司生产。该器件具有以下关键特性:
1. 封装类型:SOT23封装,这是一种紧凑型表面安装技术(SMT)封装,适合于小型电路板设计,占用空间小,有利于集成。
2. 沟道类型:P-Channel,这意味着它是N沟道晶体管的反向,其导通是当栅极电压(VGS)高于源极电压(VDS)时,适合于负载开关或电流控制应用。
3. 最大电压规格:
- Drain-Source Voltage (VDS): -20V,表示在正常操作条件下,允许的最大源极与漏极之间的电压差。
- Gate-Source Voltage (VGS): ±12V,表明栅极电压可以在正负12伏之间变化,但必须保持在此范围内以避免损坏。
4. 电流规格:
- Continuous Drain Current (ID): 在不同温度下有不同限制,例如,在25°C时,最大连续漏极电流为-4A,而在70°C时有所下降。
- Pulsed Drain Current (DM): 为了处理短暂的峰值电流,允许的脉冲漏极电流为-10A。
- Continuous Source-Drain Diode Current (IS): 体现了在某些情况下MOSFET内部二极管的反向电流,25°C时最大值为-2A。
5. 功耗参数:
- Maximum Power Dissipation (PD): 25°C时最大功率损耗为2.5W,随着温度升高,极限会降低。
6. 温度范围:
- Operating Junction Temperature (TJ): 设备的正常工作结温范围为-55°C至150°C。
- Storage Temperature Range (stg): 适用于长时间存储的温度范围同样为-55°C至150°C。
7. 热阻特性:
- RthJA (Junction-to-Ambient): 最大结温到环境温度的典型和最大热阻,5秒内分别为75°C/W和100°C/W。
- RthJ (Junction-to-Case, Drain): 结温到漏极引脚的热阻,在稳态条件下为40°C/W和50°C/W。
8. 特性亮点:该MOSFET采用无卤素材料,体现出环保设计,适应于对环境敏感的应用场合。
AP2307GN-HF-VB是一款适用于低电压、大电流控制的高性能P-Channel MOSFET,特别适合那些对尺寸、功耗和散热效率有较高要求的小型电子设备设计。在使用时需注意其操作电压、电流限制以及温度条件下的性能参数。