英飞凌IRFP4768PBF功率MOSFET技术规格手册

"IRFP4768PBF是一款由INFINEON（英飞凌）公司生产的HEXFET® Power MOSFET半导体芯片，主要应用于高效率同步整流、不间断电源、高速功率开关以及硬开关和高频电路等领域。该芯片具有出色的栅极、雪崩和动态dV/dt耐受性，并且其电容和雪崩安全操作区经过全面特性化。增强型体二极管具备更高的dV/dt和dI/dt能力，符合RoHS标准，无铅设计。产品包装形式为TO-247AC，每管装有25个。关键参数包括：最大漏源电压（VDSS）为250V，典型导通电阻（RDS(on)）在10V栅极电压下为14.5mΩ（最大值为17.5mΩ），连续漏极电流（ID）在25°C时为93A，在100°C时为66A，脉冲漏极电流（IDM）为370A，最大功率耗散（PD）在25°C时为520W，栅极源电压（VGS）为±20V，峰值二极管恢复dv/dt为24V/ns，工作及存储温度范围为-55至+175°C，而焊接温度等也有明确的规定。" IRFP4768PBF是一款高性能的电力MOSFET，被广泛用于电源管理领域，特别是高效能的同步整流，这在开关模式电源（SMPS）中至关重要，因为它可以提高转换效率并减少热损耗。在不间断电源（UPS）中，这种MOSFET能够确保即使在电网故障时也能提供稳定电源。此外，由于其高速开关性能，它也适用于高频率的电力转换电路。 该器件的突出特点包括其增强的栅极、雪崩和动态dV/dt耐受性，这意味着它能够在恶劣的工作条件下保持稳定，不容易损坏。同时，英飞凌对其电容和雪崩安全操作区进行了全面的特性化，确保了在各种工作条件下的可靠性。 IRFP4768PBF的体二极管强化了dV/dt和dI/dt能力，这在处理快速电压和电流变化时特别有用，比如在硬开关和高频电路中，它可以更有效地处理瞬态电流和电压波动，降低了对电路的负面影响。 该芯片的设计符合RoHS标准，意味着它是无铅的，符合环保要求。封装采用TO-247AC，这是一种常见的大功率半导体器件封装，允许较大的散热面积。每管包含25个芯片，方便批量使用和安装。 技术参数方面，IRFP4768PBF的最大漏源电压为250V，这意味着它可以承受的最高电压差为250V。在10V的栅极电压下，其典型导通电阻仅为14.5mΩ，这有助于降低导通状态下的功耗。连续漏极电流在25°C时可达到93A，但随着温度升高，这一数值会下降到100°C时的66A。脉冲漏极电流IDM为370A，表明它可以短时间内处理较大的峰值电流。最大功率耗散为520W，但随着温度上升，功率耗散将线性减少。 IRFP4768PBF是一款高性能、高可靠性的电力MOSFET，适合在需要高效、快速切换和高耐压能力的电力应用中使用。