GN2302-VB:SOT23封装N-Channel MOSFET,低RDS(ON)24mΩ
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更新于2024-08-03
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GN2302-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel场效应MOS管,适用于直流/直流转换器和便携式应用的负载开关。这款MOS管具有低导通电阻(RDS(on)),在VGS=4.5V时为24mΩ,在VGS=8V时为42mΩ,阈值电压Vth在0.45~1V之间。产品符合RoHS指令,并且是无卤素设计。其结构采用了TrenchFET功率MOSFET技术,100%进行了栅极电阻测试。
详细说明:
1. **封装类型**:GN2302-VB使用的是SOT23封装,这是一种小型表贴器件封装,适合在空间有限或对体积有严格要求的电路中使用。
2. **N-Channel沟道**:这种MOS管为N沟道型,意味着在栅极和源极之间施加正电压(相对于漏极)时,电流可以从源极流向漏极。
3. **电压和电流规格**:MOS管能够承受的最大漏源电压VDS为20V,连续漏极电流ID在不同温度下有所不同,最高可达到6A。脉冲漏极电流IDM可达20A。
4. **低导通电阻**:该MOS管的RDS(on)非常低,这使得在导通状态下的电压损失较小,提高了效率。例如,当VGS=4.5V时,RDS(on)为28mΩ,而VGS=8V时为42mΩ。
5. **阈值电压**:Vth范围在0.45~1V,这意味着在开启MOS管时所需的最小栅极电压在这个范围内。
6. **Qg参数**:Qg代表栅极电荷,是评估MOS管开关速度的关键参数。典型值分别为8.8nC(VGS=2.5V)和5.6nC(VGS=1.8V),这表示开关过程中栅极所需的电荷量,直接影响开关速度。
7. **应用领域**:GN2302-VB主要应用于直流/直流转换器和便携式设备的负载开关,例如手机、笔记本电脑等电源管理。
8. **安全操作条件**:绝对最大额定值包括漏源电压(20V)、栅源电压(±12V)以及不同温度下的连续漏极电流和脉冲漏极电流。
9. **热性能**:最大结温和存储温度范围为-55到150°C,最大功率耗散在不同温度下也有所变化,强调了对散热的要求。
10. **环保认证**:产品符合RoHS标准,不含有卤素,符合IEC61249-2-21的定义,满足环保要求。
总结来说,GN2302-VB是一款高性能、小型化、环保的N-Channel MOS管,适用于需要高效能、小体积和快速开关特性的电子设备。其低RDS(on)和优秀的电气特性使其在电源管理、负载切换等领域表现出色。
2024-03-18 上传
2024-03-20 上传
2024-03-20 上传
2024-04-09 上传
2024-03-25 上传
2024-03-16 上传
2024-03-16 上传
2024-03-25 上传
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