6.4 Thermal Information (continued)
THERMAL METRIC
(1)
UCC14240-Q1
UNITDWN (SOIC)
36 PINS
ψ
JB
Junction-to-board characterization parameter 25.6 °C/W
R
θJC(bot)
Junction-to-case (bottom) thermal resistance
—
°C/W
(1) For more information about traditional and new thermal metrics, see the Semiconductor and IC package thermal metrics application
report.
6.5 Power Ratings
V
IN
= 24 V, C
IN
= C
OUT
= 2.2 µF, T
J
= 150 °C
PARAMETER TEST CONDITIONS VALUE UNIT
P
D
Power dissipation
(VDD – VEE) = 25 V, I
VDD
= 1500 mW,
(COM – VEE) = 5 V; I
RLIM
= 375 mW
540 mW
P
DP
Power dissipation by driver side (primary) 120 mW
P
DS
Power dissipation by rectifier side (secondary) 100 mW
P
DT
Power dissipation by transformer 320 mW
6.6 Insulation Specifications
PARAMETER TEST CONDITIONS VALUE UNIT
GENERAL
CLR External clearance
(1)
Shortest terminal-to-terminal distance through air > 8 mm
CPG External creepage
(1)
Shortest terminal-to-terminal distance across the
package surface
> 8 mm
DTI Distance through the insulation Minimum internal gap (internal clearance) > 120 µm
CTI Comparative tracking index DIN EN 60112 (VDE 0303-11); IEC 60112 > 600 V
Material group According to IEC 60664-1 I
Over-voltage Category
Rated mains voltage ≤ 300 V
RMS
I-IV
Rated mains voltage ≤ 600 V
RMS
I-IV
Rated mains voltage ≤ 1000 V
RMS
I-III
DIN V VDE V 0884-11:2017-01
(2)
(Planned Certification Targets)
V
IORM
Maximum repetitive peak isolation
voltage
AC voltage (bipolar) 1202 V
PK
V
IOWM
Maximum working isolation voltage
AC voltage (sine wave) Time dependent dielectric
breakdown (TDDB) test
850 V
RMS
DC voltage 1202 V
DC
V
IOTM
Maximum transient isolation voltage
V
TEST
= V
IOTM
, t = 60s (qualification);
V
TEST
= 1.2 × V
IOTM
, t = 1s (100% production)
4243 V
PK
V
IOSM
Maximum surge isolation voltage
(3)
Test method per IEC 62368-1, 1.2/50 µs waveform,
V
TEST
= 1.3 × V
IOSM
= 6500 V
PK
(qualification)
5000 V
PK
q
pd
Apparent charge
(4)
Method a: After I/O safety test subgroup 2/3,
V
ini
= V
IOTM
, t
ini
= 60 s;
V
pd(m)
= 1.2 × V
IORM
= 1442 V
PK
, t
m
= 10 s
≤ 5
pC
Method a: After environmental tests subgroup 1,
V
ini
= V
IOTM
, t
ini
= 60 s;
V
pd(m)
= 1.2 × V
IORM
= 1442 V
PK
, t
m
= 10 s
≤ 5
Method b1: At routine test (100% production) and
preconditioning (type test)
V
ini
= 1.2 × V
IOTM
, t
ini
= 1 s;
V
pd(m)
= 1.5 × V
IORM
= 1803 V
PK
, t
m
= 1 s
≤ 5
C
IO
Barrier capacitance, input to output
(5)
V
IO
= 0.4 sin (2πft), f = 1 MHz
approxim
ately 3.5
pF
UCC14240-Q1
ZHCSOX6 – SEPTEMBER 2021
www.ti.com.cn
ADVANCE INFORMATION
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