TI TLC6C5912：12位移位寄存器LED驱动器技术规格
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更新于2024-06-29
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"TI-TLC6C5912.pdf"
TI-TLC6C5912是一款由德州仪器（Texas Instruments）生产的12位移位寄存器LED驱动器。这款芯片设计用于中等电压和低电流功率应用，特别适合驱动LED显示面板，如电器显示、电梯显示和PLC功能指示器，以及七段显示器。
该芯片的主要特点包括：
1. **宽VCC工作范围**：支持3V到5.5V的电源电压，这使得它能在多种供电环境下工作。
2. **高额定输出**：每个输出端口可以承受最大40V的电压，确保了驱动LED时的安全性。
3. **12路功率DMOS晶体管输出**：每个通道能提供50mA的持续电流（当VCC=5V）或200mA的脉宽调制（PWM）电流，条件是单个脉冲持续时间小于1毫秒且平均电流低于50mA，这允许精细的亮度控制。
4. **热关断保护**：内置的热保护机制能够在芯片过热时自动关闭，防止器件损坏。
5. **级联功能**：支持多级级联，可以扩展到驱动更复杂的LED矩阵，增强了设计的灵活性。
6. **单一输入清零**：所有寄存器可以通过一个输入信号进行清零操作，简化了系统初始化。
7. **低功耗**：设计优化了能源效率，适用于电池供电或节能应用。
8. **缓慢开关时间**：具有t和tf的慢速开关特性，有助于减少电磁干扰（EMI），确保设备的电磁兼容性。
9. **封装形式**：采用20引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)-PW封装，节省电路板空间。
在使用TLC6C5912时，通过微控制器（MCU）的串行接口可以方便地控制LED的亮灭顺序和亮度，实现动态显示效果。其级联功能允许多个TLC6C5912芯片连接在一起，形成更大的LED阵列，而单一输入清零则简化了整个系统的同步和控制。
TLC6C5912是LED驱动应用的理想选择，特别是在需要高效、低功耗和精确亮度控制的场合。配合适当的外围电路和软件，用户可以构建出各种复杂的LED显示系统。
5
TLC6C5912
www.ti.com.cn
ZHCSF22 –MAY 2016
Copyright © 2016, Texas Instruments Incorporated
(1) For more information about traditional and new thermal metrics, see the Semiconductor and IC Package Thermal Metrics application
report, SPRA953.
6.4 Thermal Information
THERMAL METRIC
(1)
TLC6C5912
UNITPW (TSSOP)
20 PINS
R
θJA
Junction-to-ambient thermal resistance 114.8 °C/W
R
θJC(top)
Junction-to-case (top) thermal resistance 44.1 °C/W
R
θJB
Junction-to-board thermal resistance 61.3 °C/W
ψ
JT
Junction-to-top characterization parameter 4.7 °C/W
ψ
JB
Junction-to-board characterization parameter 60.8 °C/W
6.5 Electrical Characteristics
V
CC
= 5 V, T
A
= 25°C (unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
DRAIN0 to DRAIN11,
drain-to-source voltage
40 V
V
OH
High-level output voltage,
SER OUT
I
OH
= –20 μA
V
CC
= 5 V
4.9 4.99
V
I
OH
= –4 mA 4.5 4.69
V
OL
Low-level output voltage,
SER OUT
I
OH
= 20 μA
V
CC
= 5 V
0.001 0.01
V
I
OH
= 4 mA 0.25 0.4
I
IH
High-level input current V
CC
= 5 V, V
I
= V
CC
0.2 μA
I
IL
Low-level input current V
CC
= 5 V, V
I
= 0 –0.2 μA
I
CC
Logic supply current
V
CC
= 5 V,
No clock signal
All outputs off 0.1 1
μA
All outputs on 130 170
I
CC(FRQ)
Logic supply current at
frequency
f
SRCK
= 5 MHz, C
L
= 30 pF, all outputs on 300 µA
I
DSX
Off-state drain current
V
DS
= 30 V, V
CC
= 5 V 0.1
μA
V
DS
= 30 V, T
C
= 125°C, V
CC
= 5 V 0.15 0.3
r
DS(on)
Static drain-source on-state
resistance
I
D
= 20 mA, V
CC
= 5 V, T
A
= 25°C, single channel ON 6 7.4 8.6
Ω
I
D
= 20 mA, V
CC
= 5 V, T
A
= 25°C, all channels ON 6.7 8.9 9.6
I
D
= 20 mA, V
CC
= 3.3 V, T
A
= 25°C, single channel ON 7.9 9.3 11.2
I
D
= 20 mA, V
CC
= 3.3 V, T
A
= 25°C, all channels ON 8.7 10.6 12.3
I
D
= 20 mA, V
CC
= 5 V, T
A
= 105°C, single channel ON 9.1 11.2 12.9
I
D
= 20 mA, V
CC
= 5 V, T
A
= 105°C, all channels ON 10.3 13 14.5
I
D
= 20 mA, V
CC
= 3.3 V, T
A
= 105°C, single channel ON 11.6 13.7 16.4
I
D
= 20 mA, V
CC
= 3.3 V, T
A
= 105°C, all channels ON 12.8 15.6 18.2
T
SHUTDOWN
Thermal shutdown trip point 150 175 200 °C
t
HYS
Hysteresis 15 °C
6.6 Switching Characteristics
V
CC
= 5 V, T
A
= 25°C
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
t
PLH
Propagation delay time, low-to-high-level output from G
C
L
= 30 pF, I
D
= 48 mA
210 ns
t
PHL
Propagation delay time, high-to-low-level output from G 75 ns
t
r
Rise time, drain output 250 ns
t
f
Fall time, drain output 200 ns
t
pd
Propagation delay time, SRCK↓ to SEROUT C
L
= 30 pF, I
D
= 48 mA 35 ns
t
or
SEROUT rise time (10% to 90%) C
L
= 30 pF 20 ns
t
of
SEROUT fall time (90% to 10%) C
L
= 30 pF 20 ns
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