英飞凌IPB180P04P4L02ATMA1 OptiMOS-P2 功率晶体管数据表

"IPB180P04P4L02ATMA1 是英飞凌（INFINEON）公司生产的 OptiMOS®-P2 功率晶体管，适用于电子元器件领域，尤其适合逆向电池保护。该芯片符合AEC标准，具有高温耐受能力和RoHS合规的绿色产品特性。" 英飞凌的 IPB180P04P4L02ATMA1 芯片是一款高性能的P通道逻辑电平增强模式功率晶体管，其主要特点包括： 1. P通道逻辑级增强模式：这意味着该器件在低电压下即可开启，便于在数字逻辑电路中使用。 2. AEC合格认证：满足汽车电子行业的严格质量标准，确保可靠性。 3. MSL1等级：可承受高达260°C的峰值再流温度，适应现代化的SMT生产工艺。 4. 高工作温度：能够在175°C的环境下稳定工作，适合高温环境的应用。 5. RoHS合规的绿色产品：不含有害物质，符合环保要求。 6. 通过100%雪崩测试：保证了器件在过载条件下的安全性和耐用性。 在电气性能方面，IPB180P04P4L02ATMA1 的关键参数包括： 1. 连续漏极电流（ID）：在25°C时最大为-180A，100°C时为-140A，表明其在不同温度下的高电流承载能力。 2. 短脉冲漏极电流（ID,pulse）：在25°C时可达-720A，设计用于处理瞬时大电流冲击。 3. 单脉冲雪崩能量（EAS）：在ID=-90A时为84mJ，表明其在过电压情况下的稳定性。 4. 单脉冲雪崩电流（IAS）：最大值为-180A，展示了其抗雪崩能力。 5. 根门源电压（VGS）：允许的最大电压为±16V，确保了良好的开关控制。 6. 最大总功率耗散（Ptot）：在25°C时为150W，限制了芯片的散热需求。 7. 工作和存储温度范围：从-55°C到175°C，涵盖了广泛的环境条件。 8. 封装类型：PG-TO263-7-3，具有良好的散热性能和机械稳定性。 9. RDS(on)，max：在最大漏极电流ID=-180A时，最大导通电阻为2.4mΩ，影响了芯片作为开关时的损耗。 此外，该器件的引脚布局包括： - 漏极（Drain）：连接至Pin4，同时也是散热片。 - 源极（Source）：由Pin2、3、5、6、7共同构成。 - 根门（Gate）：连接至Pin1，用于控制晶体管的开关状态。 IPB180P04P4L02ATMA1 是一款高性能、高可靠性的功率晶体管，适用于需要大电流处理、高效能和严格温度条件的汽车电子及工业应用中。其出色的电气特性和封装设计，使其成为逆向电池保护和其他高压电源管理电路的理想选择。