DMP3130L-7-VB：P-Channel沟道SOT23 MOSFET技术参数与应用

"DMP3130L-7-VB是一款由VBsemi公司生产的P-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管。这款MOSFET适用于移动计算设备，如笔记本适配器开关和DC/DC转换器。其主要特性包括采用TrenchFET技术的功率MOSFET，以及100%的栅极电阻测试。" DMP3130L-7-VB MOSFET晶体管的主要参数如下： 1. **电压等级**：该器件的最大漏源电压（VDS）为-30V，意味着它可以承受最高30伏的反向电压，这在直流电源开关等应用中非常关键。 2. **导通电阻**：在不同栅极电压下，RDS(on)的典型值有所不同。例如，当VGS = -10V时，RDS(on)为47毫欧；VGS = -6V时，RDS(on)为49毫欧。低的RDS(on)值意味着在导通状态下，器件的压降小，能有效降低功耗。 3. **电流能力**：连续漏极电流（ID）在25°C时可达到-5.6A，但随着温度升高，电流能力会有所下降。在70°C时，ID为-4.3A。此外，脉冲漏极电流IDM可达到-18A，适合短时大电流的脉冲应用。 4. **栅极-源极电压**：VGS的最大值为±20V，确保了良好的开关性能。而阈值电压Vth为-1V，表明在较低的栅极电压下就能开启MOSFET。 5. **电容与栅极电荷**：Qg是栅极电荷，表示在开关过程中所需的电荷量。在本例中，Qg的典型值为11.4nC，较小的Qg有助于快速开关操作，减少开关损耗。 6. **封装与尺寸**：该MOSFET采用SOT23（TO-236）封装，小巧紧凑，适合空间有限的应用。 7. **热特性**：在25°C时的最大功率耗散为2.5W，而70°C时则降至1.6W。器件的热阻抗数据提供了关于其在不同环境温度下的散热能力的信息。 8. **绝对最大额定值**：包括漏源电压、栅源电压、连续漏极电流、脉冲漏极电流、连续源漏二极管电流以及最大工作和存储温度范围。 9. **应用**：DMP3130L-7-VB适用于移动计算设备，如笔记本电脑的负载开关、适配器开关以及DC/DC转换器，这些应用需要高效、小型化的功率开关元件。 这款MOSFET的特点在于其高效的TrenchFET结构，低RDS(on)，以及小巧的SOT23封装，使其成为低功耗、高频率开关应用的理想选择。其热特性和电流能力确保了在各种工作条件下的稳定运行。