PIC16(L)F18324/18344微控制器的闪存程序存储器详解

"这篇文档主要介绍了PIC16(L)F18324微控制器的闪存程序存储器的特性和操作方法。" 在MCU PIC16(L)F18324中，闪存程序存储器是重要的组成部分，它包含4096个14位字，用于存储用户程序指令和用户定义的数据。除了用户程序，存储器还存储用户ID信息、配置字以及中断向量。读取闪存程序存储器可以通过CPU取指（只读）、FSR/INDF间接访问（只读）和NVMREG访问。此外，外部器件编程器也可以进行读写操作。 闪存的读操作返回存储器中的单个字，而写和擦除操作是以行为基础的，每行包含32个14位的程序存储字。在进行擦除和编程时，需要理解其结构，因为闪存按行进行处理，且行是最小的可擦除单位。如果需要修改已编程的行，必须先读取整行内容，保存在RAM或写锁存器中，然后写入新数据。对于未编程的存储单元，可以直接写入，不需要先擦除。 在电压方面，闪存程序存储器在整个VDD工作范围内都可读写。支持外部编程，允许在小器件工作电压下进行写入和批量擦除操作。同时，也支持自编程，可以在整个VDD范围内执行写入和行擦除，但不支持批量擦除。 表11-1列出了器件的闪存构成，例如，PIC16(L)F18324的行擦除和写锁存都是32字。在进行闪存更新时，如果只是修改部分已编程内容，需要遵循特定步骤，以防止数据丢失或损坏。 此外，该MCU还具有丰富的特性，如C编译器优化的RISC架构，48条指令，16级深硬件堆栈，多个定时器，低电流上电复位，上电延时定时器，欠压复位，低功耗选项，扩展型看门狗定时器以及可编程代码保护。存储器包括7KB的闪存，512字节的数据SRAM和256字节的EEPROM。它的工作电压范围在1.8V至3.6V（对于PIC16LF18324/18344），并具有超低功耗特性，如休眠模式下的40nA电流消耗。MCU还包括多种节能模式，如空闲模式、打盹模式和休眠模式，以及外设模块禁止功能，以降低未使用外设的功耗。 数字外设包括可配置逻辑单元、比较器、捕获/比较/PWM单元、增强型I/O引脚和通信接口等，这些都增强了其在各种应用中的灵活性和实用性。PIC16(L)F18324微控制器以其高效的处理能力、灵活的存储管理和低功耗特性，适合作为通用和低功耗应用的理想选择。