富磷InP单晶生长均匀性研究：缺陷影响与分析

该篇论文深入探讨了富磷条件下熔体生长InP单晶的均匀性问题，由杨帆、杨瑞霞等学者在河北工业大学信息工程学院和中国电子科技集团公司第十三研究所的研究团队共同完成。研究采用了原位磷注入合成法在高压单晶炉内制备高磷含量的磷化铟（InP）熔体，这种方法旨在优化单晶材料的生长过程。 论文的重点在于应用液封直拉法（LEC）来生长掺硫和掺铁的InP单晶，并利用了快速扫描光荧光谱技术（PL-Mapping）、扫描电镜以及傅里叶红外光谱进行详尽的表征分析。通过这些技术，研究人员能够揭示富磷条件下InP单晶生长的晶体质量变化和晶格常数差异，发现孔洞的形成可能导致晶体均匀性下降，特别是在孔洞周围的区域，结晶质量和杂质分布明显劣于其他区域。 值得注意的是，这项研究得到了高等学校博士学科点专项科研基金和国家自然科学基金的支持。作者杨帆作为讲师，主要研究新型电子材料与器件，而杨瑞霞教授则是主要研究方向的负责人，其邮箱为 yangrx@hebut.edu.cn，为通讯作者。 关键词涵盖了研究的核心领域，即微电子学与固体电子学，以及InP、富磷、PL-Mapping和FT-IR等关键技术。论文的中图分类号为TN304.2，进一步明确了其在固体电子学领域的研究定位。整体而言，这篇论文提供了关于如何优化富磷熔体生长InP单晶均匀性的关键见解，对于改进单晶材料的生长工艺和提高其性能具有重要的实践意义。