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6
AN-978 RevD
因素 5 仅与自举电容是电解时有关，如果采用其他类型的电容，则可以忽略。因此，尽可能使用非
电解电容。关于自举元件选择方面的更多详细信息，请参考 DT98-2a
“控制
IC’
的自举元件选择“
最小的自举电容值可以通过下面公式来计算：
C
Q
I
f
Q
I
f
VVV
g
qbs
ls
Cbs leak
cc f LS
≥
+++
⎡
⎣
⎢
⎤
⎦
⎥
−−
22
(max) ( )
−VMin
其中:
Q
g
= 高端 FET 的门电荷
f = 工作频率
I
Cbs (leak)
=自举电容漏电流
I
qbs (max)
= 最大 V
BS
静态电流
V
CC
= 逻辑电路部分的电压源
V
f
= 自举二极管的正向压降
V
LS
= 低端 FET 或者负载上的压降
V
Min
= V
B
与 V
S
之间的最小电压
Q
ls
= 每个周期的电平转换所需要的电荷(对于 500V/600V MGD 来说，通常为 5nC，而 1200 V
MGD 为 20 nC)
自举二极管必须能够承受线路中的所有电压；在图25、28和29的电路中，这在上端器件导通并且
大约等于母线电压的时，就会出现此现象。而该二极管的电流额定值为门极电荷与开关频率的乘
积，对于工作于100 kHz的IRFP450 HEXFET功率MOSFET来说，它大致为12mA.
自举二极管的高温反向漏电流特性在那些需要电容来保存电荷一段延长时间的应用中是一个重要
的参数。同样，为了减小由自举电容馈入电源的电荷，应选用超快速恢复二极管。
4. 如何计算MGD的功率损耗
MGD的总损耗是由许多因素产生的，总体可分为低压（静态和动态）和高压（静态和动态）几方
面。
a) 低压静态损耗(P
D,q(LV)
) 由低压电源（譬如，V
DD
、V
CC
和V
SS
）的静态电流导致的，在典型的
15V应用中，25 °C时这些损耗总计大约为3.5mW，而T
J
= 125 °C下会增加到5mW。
b) V
CC
电源上的低电压动态损耗(P
D,SW(LV)
) 由两个不同的部分产生：
1. 只要电容通过一个电阻充电或者放电，那么用来给电容充电的一半能量会消耗在这个电阻
上。因此，一个完整周期的门驱动电阻（MGD的内部和外部）的损耗如下：
P
G
= V • Q
G
• f
对于工作于100kHz、V
gs
= 15V的两个IRFP450 HEXFETs 来说，我们有：
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