IR系列全桥驱动设计详解与常见问题指南

"全桥驱动IR系列参考设计及问题指南是一份由国际整流器公司(Infineon Technologies, 现已被STMicroelectronics收购，但这里仍使用IR品牌)提供的详细应用手册，着重于AN978C指南。该文档主要关注IR2110和IR2112两种全桥驱动IC的设计，特别是针对高压悬浮门驱动集成电路，如HEXFET的应用。 首先，指南介绍了高端器件门驱动的要求，强调了门极电压必须高于漏极至少10V到15V，以确保足够的开关性能和隔离。驱动信号通常基于地参考，并通过逻辑电平转换至高端功率器件的源极。为了减少功率损耗，门极驱动电路的设计需考虑效率问题。 IR2110和IR2112作为MGD (MOS Gate Driver)的一部分，提供了高效、低损耗的解决方案，能够支持高速开关频率，适用于从几十赫兹到几百千赫兹的广泛应用。它们可以工作在自举或悬浮电源模式，这意味着只需少量外部元件就能驱动高端和低端MOSFET或IGBT。 手册中的典型结构图，如图2所示，展示了IRS2110的设计，包括参考地功率晶体管驱动电路、高端晶体管驱动电路、电平转换器和输入逻辑电路。这些组件共同作用以实现全桥驱动电路的稳定工作。图3则展示了硅芯片的横截面，揭示了寄生电容等关键参数，这对于优化PCB布局至关重要。 指南还涵盖了如何选择合适的自举元件、处理Vs引脚的负向瞬变、布线和一般注意事项、提高门驱动电流、产生负的门偏置、驱动降压转换器以及应用于双正激转换器、开关磁阻电机和无刷/感应电机驱动的情况。此外，还有故障排除指南，帮助用户解决可能遇到的问题。 这份参考设计和问题指南为全桥驱动电路设计者提供了全面的技术支持，无论是对于电路的选择、配置、优化还是故障排查，都有极大的参考价值。"