CMP100N03-VB：30V N沟道TO220封装高性能MOSFET

CMP100N03-VB是一种N沟道TO220封装的高性能MOSFET，它采用了先进的TrenchFET技术，具有出色的功率管理和散热性能。这款器件的特点包括： 1. **特性亮点**： - **TrenchFET结构**：通过深度 trench 技术设计，提供低导通电阻（Rg）和高开关速度（UIST），确保了高效的电力转换。 - **严格测试**：产品在出厂时经过100%的Rg和UIST测试，确保了可靠性和一致性。 - **环保合规**：符合RoHS指令2011/65/EU，确保了电子废物管理的合规性。 2. **应用领域**： - **并联电路**：适用于OR-ing应用，即多路电源的并联以增加电流处理能力。 - **服务器**：由于其高温耐受性和大电流处理，适合于服务器中的开关和电源管理需求。 - **DC-DC转换器**：在电源转换电路中发挥关键作用，如笔记本电脑、手机充电器等。 3. **电气参数**： - **电压等级**：最大Drain-Source电压（VDS）为30V，Gate-Source电压（VGS）支持±20V的动态范围。 - **连续和脉冲电流**：在25°C时，持续电流ID可达120A；短时间脉冲下，允许的最大脉冲电流IDM为380A。 - **安全限制**：单脉冲雪崩电流（IAS）为36A，单次脉冲雪崩能量（EAS）为64.8V，确保了过载保护。 - **内部电导**：连续源-漏电流（IS）在25°C下可承受90A，存储温度范围内为3.13A。 4. **热管理**： - **最大功率耗散**：在25°C时，允许的最大功率损耗为250W，而在70°C下有所降低。 - **温度范围**：操作和存储温度范围从-55°C到175°C，需注意在高温运行时的散热要求。 5. **热阻指标**： - **热阻值**：提供了典型和最大值的热阻参数，对于计算实际设备的散热设计至关重要。 CMP100N03-VB是一款适用于高压、大电流电子应用的高效率N沟道MOSFET，结合了优良的电气性能和宽广的温度工作范围，是构建高效电力转换和控制电路的理想选择。设计师在使用时，需确保充分了解这些参数，并结合具体应用场景来选择合适的散热策略。