英飞凌IRFS4115-7P芯片中文规格书:高性能电力MOSFET
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更新于2024-08-03
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"IRFS4115-7P是一款由英飞凌(INFINEON)公司生产的HEXFET PowerMOSFET芯片,主要用于高效率同步整流、不间断电源、高速功率开关以及硬开关和高频电路等应用。该芯片具有优秀的门极控制、雪崩耐受力和动态dV/dt能力,且其体二极管增强的dV/dt和dI/dt性能。此外,该产品符合无铅标准。"
详细说明:
1. **HEXFET技术**:HEXFET(Hexagonal Field Effect Transistor)是英飞凌的专利技术,它通过优化栅极结构和沟道设计,提高了MOSFET的开关速度和效率,降低了导通电阻(RDS(on))。
2. **性能优势**:
- **门极耐受性**:芯片具有良好的门极控制能力,能更好地管理输入信号,确保稳定工作。
- **雪崩耐受力**:经过全面表征的雪崩能力,使得IRFS4115-7P在过电压条件下有更高的鲁棒性。
- **动态dV/dt**:高耐受的动态电压变化率,可应对快速电压变化的环境,减少开关损耗。
- **体二极管增强特性**:增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力,提高在反向恢复期间的性能,降低反向恢复电流的峰值。
3. **电气参数**:
- **额定电压(VDSSS)**:150V,表明芯片可以承受的最大漏源电压。
- **典型导通电阻(RDS(on))**:10.0mΩ(最大11.8mΩ),低RDS(on)意味着在导通状态下较低的功率损耗。
- **连续漏极电流(ID)**:在25°C时最大105A,在100°C时也有相应的额定值,适用于大电流应用。
- **脉冲漏极电流(IDM)**:瞬态允许的最大电流,用于短时间的大电流操作。
- **最大功率耗散(PD)**:25°C下为最大功率,随着温度升高按线性降额。
4. **工作与存储条件**:
- **结温(TJ)**:芯片工作时的最大结温,超过这个温度可能导致性能下降或损坏。
- **储存温度范围(TSTG)**:芯片在不工作的储存环境中允许的温度范围。
- **焊接温度**:对于短暂的10秒内,对封装进行焊接的最高温度,以保证可靠性。
- **安装扭矩**:推荐的螺丝紧固力矩,以确保良好的热接触。
5. **雪崩特性**:
- **单脉冲雪崩能量(EAS)**:芯片能承受的最大单次雪崩能量,超过这个能量可能会导致损坏。
- **雪崩电流(IAR)**:芯片在雪崩模式下安全工作的最大电流。
6. **应用领域**:
- **高效率同步整流**:在开关电源(SMPS)中,用于提升效率并降低损耗。
- **不间断电源(UPS)**:提供稳定电力,保护负载免受电源中断影响。
- **高速功率开关**:适合于需要快速开关动作的电路。
- **硬开关和高频电路**:适用于高频率操作和硬开关转换的应用。
以上是对IRFS4115-7P英飞凌芯片的详细说明,包括其技术特点、主要参数、应用领域以及工作条件。这款芯片因其出色的性能和广泛的应用场景,成为了高功率电子设计中的理想选择。
2023-06-28 上传
2023-06-28 上传
2023-06-28 上传
2023-06-01 上传
2023-06-25 上传
2023-05-30 上传
2023-06-26 上传
2023-06-05 上传
2023-06-25 上传
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