2SK1824-VB：N沟道20V MOSFET在DC/DC转换器中的应用

"2SK1824-VB是一款N沟道的场效应管，采用SC75-3封装，适用于智能手机、平板电脑等设备的DC/DC转换器、升压转换器和负载开关等应用。该器件是TrenchFET®功率MOSFET技术的产物，具有100%的Rg测试保证。" 2SK1824-VB场效应管是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其主要特点在于采用了TrenchFET®技术，这种技术通过在硅片上挖掘精细的沟槽结构，极大地降低了导通电阻，从而提高了器件的效率和热性能。此外，这款MOSFET还经过了100%的Rg测试，确保了其栅极电阻的稳定性和可靠性。 在应用方面，2SK1824-VB主要用于智能手机和平板电脑等便携式电子设备，它在DC/DC转换器、升压转换器以及负载开关和过电压保护开关等电路中发挥重要作用。这些应用对元器件的小型化和高效能有较高要求，而2SK1824-VB正好满足这些需求。 在电气特性方面，2SK1824-VB的最大漏源电压VDS为20V，典型的栅极电荷Qg为1.4nC，且在VGS=2.5V时的漏源导通电阻RDS(on)为0.390欧姆。这些参数决定了其在电路中的开关速度和导通损耗。 绝对最大额定值方面，当环境温度为25°C时，连续漏源电流ID可达到0.7A，而在70°C时则降至0.6A。脉冲漏源电流IDM的最大值为6A，而连续源漏二极管电流IS为0.4A。最大功耗PD在25°C时为0.5W，70°C时为0.3W。工作和存储的温度范围为-55°C到+150°C。 热性能方面，器件的最大结壳热阻RthJA在10秒内为250至300°C/W，这意味着在短时间内器件能有效地将内部产生的热量散发到周围环境中。 2SK1824-VB是一款适用于高密度、高性能电子设备的N沟道MOSFET，其优秀的电气特性和紧凑的封装设计使其成为移动设备电源管理的理想选择。在实际应用中，需要考虑其热管理，以确保长期稳定运行。