SI2307DS-T1-GE3-VB P沟道MOSFET：特性、应用与关键参数

"SI2307DS-T1-GE3是一款由Infineon（英飞凌）制造的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于移动计算设备，如笔记本适配器开关、直流/直流转换器等应用。该MOSFET采用TrenchFET技术，确保了低电阻和高效能。" **产品特性** - **TrenchFET技术**: TrenchFET是英飞凌的一项专利技术，它通过在硅片上形成深沟槽结构来优化MOSFET的性能，降低导通电阻(RDS(ON))，提高开关速度，并减小封装尺寸。 - **100%Rg测试**: 每个器件都经过栅极电阻(Rg)测试，确保了产品质量和一致性。 **主要参数** - **耐压**: 能承受的最大漏源电压(VDS)为-30V，意味着它可以处理30伏特的反向电压。 - **导通电阻**: 在不同栅极电压下，RDS(ON)分别为47mΩ@10V和56mΩ@4.5V，这表示在这些条件下，当MOSFET导通时，其内部的电阻较低，能有效降低功率损耗。 - **持续电流**: 连续漏极电流(ID)在不同温度下有所不同，例如，在25°C时可达到-5.6A，而在70°C时则下降至-4.3A。 - **门极电荷(Qg)**: Qg是开启MOSFET所需的总电荷，对于SI2307DS-T1-GE3，典型值在11.4nC左右，这个参数影响开关速度和功耗。 **绝对最大额定值** - **栅极源电压(VGS)**: VGS的最大允许值为±20V，过高的电压可能会损坏MOSFET。 - **脉冲漏极电流(IDM)**: 可以承受的最大100微秒脉冲漏极电流为-18A，这是瞬态操作的限制。 - **结温(TJ)**: 操作和存储温度范围为-55到150°C。 **封装和热特性** - **封装形式**: 采用SOT-23（TO-236）封装，这是一种小型表面贴装封装，适合高密度电路板布局。 - **热阻抗**: 包括从结到外壳的热阻(RθJC)和从结到环境的热阻(RθJA)，这些参数决定了器件在不同环境温度下的散热能力。 **应用领域** - **移动计算**: 适合用作负载开关，笔记本适配器开关，以及DC/DC转换器中的开关元件，以控制电流流动和电压转换。 总结来说，SI2307DS-T1-GE3是一款高性能的P沟道MOSFET，特别适合于需要高效能和紧凑尺寸的应用场景，如移动设备和电源管理。其低导通电阻和优秀的热特性使其成为电源电路设计的理想选择。