忆阻突触耦合Hopfield神经网络的初值敏感动力学
陈 墨
*
陈成杰 包伯成 徐 权
(常州大学信息科学与工程学院 常州 213164)
摘 要:该文报道了3神经元Hopfield神经网络(HNN)在电磁感应电流作用下的初值敏感动力学。利用非理想忆阻
突触,模拟由两个相邻神经元膜电位之差引起的电磁感应电流,构建了一种简单的4维忆阻Hopfield神经网络模
型。借助理论分析和数值仿真,分析了不同忆阻突触耦合强度下的复杂动力学行为,揭示了与状态初值密切相关
的特殊动力学行为。最后,设计了该忆阻HNN的模拟等效实现电路,并由PSIM电路仿真验证了MATLAB数值仿
真的正确性。
关键词:非理想忆阻突触;Hopfield神经网络;状态初值;数值仿真
中图分类号:TN601; TN711.4 文献标识码:A 文章编号:1009-5896(2020)04-0870-08
DOI: 10.11999/JEIT190858
Initial Sensitive Dynamics in Memristor Synapse-coupled
Hopfield Neural Network
CHEN Mo CHEN Chengjie BAO Bocheng XU Quan
(School of Information Science and Engineering, Changzhou University, Changzhou 213164, China)
Abstract: The initial sensitive dynamics in a Hopfield Neural Network (HNN) with three neurons under the
action of electromagnetic induction current is reported. A simple 4-D memristive HNN is constructed by using a
non-ideal memristor synapse to imitate the electromagnetic induction current caused by membrane potential
difference between two adjacent neurons. By means of theoretical analyses and numerical simulations, the
complex dynamical behaviors under different coupling strengths of the memristor synapse are researched, and
special phenomena closely related to the initial values are revealed. Finally, the analog equivalent realization
circuit of the memristive HNN model is designed, and the correctness of MATLAB numerical simulation is
verified by PSIM circuit simulations.
Key words: Non-ideal memristor synapse; Hopfield Neural Network (HNN); Initial condition; Numerical
simulation
1 引言
在人工神经网络领域,Hopfield神经网络
(Hopfield Neural Network, HNN)是由多个神经元
构成的一类重要的神经网络模型
[1]
,它可以模拟人
脑中的复杂动力学
[2,3]
,在数据存储、联想记忆、
信号检测、认知研究和特征识别等领域有着广泛的
应用前景
[4–6]
。目前,已有大量文献通过动力学分
析方法揭示并阐述了HNN中的自激吸引子
[7]
、隐藏
吸引子
[8]
、共存对称吸引子
[9,10]
和共存多稳态模式
[11]
等复杂动力学行为。
近年来,忆阻器在模拟突触可塑性和构造人工
神经网络方面展现了独特优势
[6,12]
。采用忆阻模拟
器实现神经网络模型的可变连接权重,可更有效地
模拟生物神经系统的动力学特性
[13,14]
。利用忆阻模
拟器描述外加电磁辐射
[15–18]
或模拟神经元膜电位差
诱发的电磁感应效应
[19–21]
,可以定量分析电磁辐射
对神经形态电路的电活动行为影响。采用绝对值型
忆阻模拟器模拟外部电磁辐射效应,文献[16]研究
了电磁辐射分布对多神经元HNN电活动行为的影
响,随着电磁辐射激励的神经元数目的增加,神经
网络的动力学行为逐渐由周期行为演化为混沌、瞬
态混沌和超混沌行为。在单欣德马什–罗斯(Hind-
marsh–Rose, HR)神经元中引入具有阈值的双曲正
切型忆阻模拟器,文献[17]揭示并阐述了电磁辐射
收稿日期:2019-11-01;改回日期:2020-01-20;网络出版:2020-03-13
*通信作者: 陈墨 mchen@cczu.edu.cn
基金项目:国家自然科学基金(51777016, 61801054, 61601062),江
苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX19_1767)
Foundation Items: The National Natural Science Foundation of
China (51777016, 61801054, 61601062), The Postgraduate
Research & Practice Innovation Program of Jiangsu Province,
China (KYCX19_1767)
第42卷第4期 电 子 与 信 息 学 报 Vol. 42No. 4
2020年4月 Journal of Electronics & Information Technology Apr. 2020