IS61LV51216：3.3V高速CMOS静态RAM技术规格

"IS61LV51216.PDF，SAM硬件数据手册，主要介绍IS61LV51216和IS64LV51216这两款高速异步CMOS静态RAM芯片，适用于3.3V电源供应。" IS61LV51216和IS64LV51216是由Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一系列高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。这些芯片具有以下关键特性： 1. **高速访问时间**：提供8ns、10ns和12ns的高速访问时间，这表明它们在处理数据时非常迅速，适合对速度有高要求的应用。 2. **低功耗操作**：在待机模式下，功耗低于5mA（典型值），这有助于减少设备的整体功耗，尤其对于电池供电或能源敏感的系统来说，这是一个重要的优点。 3. **TTL兼容接口电平**：这些器件的输入/输出电平与TTL逻辑电平兼容，使得它们可以方便地与其他TTL电路集成，无需额外的电平转换器。 4. **单3.3V电源供应**：只需要一个3.3V的电源就能运行，简化了电源管理并降低了系统复杂性。 5. **全静态操作**：不需要时钟或刷新，这意味着它们可以持续保持数据而无需周期性的刷新操作，增加了系统的稳定性和可靠性。 6. **三态输出**：支持三态输出，允许芯片在不使用时断开与总线的连接，以防止干扰其他设备。 7. **数据控制**：提供了上半字节和下半字节的数据控制功能，允许灵活的数据存取和处理。 8. **工业级和汽车级温度范围**：这些芯片可用于各种环境，包括严苛的工业和汽车应用，确保在不同温度条件下都能稳定工作。 9. **无铅封装**：遵循环保标准，提供无铅版本，满足RoHS（有害物质限制）规定。 512Kx16的组织结构意味着每片芯片包含512K个字（每个字16位），总共是8兆比特（8M-bit）的存储容量。这些SRAM主要用于需要快速临时存储大量数据的应用，如处理器缓存、图形处理、网络设备和实时系统等。 在使用IS61LV51216和IS64LV51216之前，用户应获取最新的器件规格书，以确保信息的准确性，并在下单前确认产品特性。此外，由于ISSI保留随时修改产品规格和信息的权利，因此，用户在依赖任何发布的资料或订购产品之前，应当查阅最新的数据手册。