N-Channel 20V MOSFET AP2322GN-VB:特性、应用与关键参数
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更新于2024-08-03
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"AP2322GN-VB是一款由VBsemi生产的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管,主要特点包括无卤素设计、TrenchFET功率MOSFET技术、100%栅极电阻测试以及符合RoHS指令。该器件适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。关键参数包括低导通电阻(RDS(ON)在VGS=4.5V时为24mΩ,在VGS=8V时为42mΩ),阈值电压Vth在0.45~1V之间,以及小的总栅极电荷(Qg)等。"
AP2322GN-VB MOSFET晶体管是电子设计中常见的功率开关元件,其N-Channel沟道特性意味着它在栅极与源极间施加正电压时可以导通。这款器件采用紧凑的SOT23封装,适合空间有限的应用场景。20V的Drain-Source电压(VDS)额定值表明它能承受高达20V的电压差,而6A的连续漏极电流(ID)则确保了高电流处理能力。
TrenchFET技术使得这款MOSFET具有更低的表面场强度,从而降低导通电阻,提高效率。100%的栅极电阻测试确保了器件性能的一致性和可靠性。此外,它符合RoHS指令,意味着其制造过程不含有害物质,符合环保标准。
在应用方面,AP2322GN-VB适用于DC/DC转换器,这是一个在电源管理中常见的应用,其中MOSFET作为开关元件控制电流流动。在便携式设备中,它常被用作负载开关,控制电池供电的电路通断,以节省能源并保护电路。
产品摘要列出了几个关键性能指标。例如,导通电阻RDS(ON)在不同栅极电压下有所不同,VGS=4.5V时为28mΩ(封装限制),VGS=8V时为42mΩ。总栅极电荷Qg在典型条件下仅为6.8nC至5.6nC,这有助于快速开关操作,减少开关损耗。
此外,绝对最大额定值是设计者必须遵守的限制,例如Drain-Source电压VDS为20V,持续漏极电流ID在不同温度下有所不同,门极-源极电压VGS为±12V。器件的最大功率耗散(PD)和结温范围(TJ, Tstg)也给出,确保在各种工作条件下的稳定运行。
AP2322GN-VB是一款高效、小巧且适用于多种应用的N-Channel MOSFET,其设计考虑了低功耗、高可靠性和环保因素。在实际应用中,根据具体设计需求选择合适的驱动电压和热管理策略,可以充分利用其优点。
2024-04-09 上传
2024-04-09 上传
2024-10-24 上传
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2024-10-24 上传
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