镁光NAND闪存规格：32GB-256GB，ONFI 2.1接口，高性能与低电压

镁光 Micron NAND Flash Datasheet是一份详细的规格手册，涵盖了多种存储容量的闪存芯片，包括32GB、64GB、128GB和256GB。这些型号包括MT29F32G08CBABA、MT29F64G08C[E/F]ABA、MT29F128G08C[J/K/M]ABA、MT29F256G08CUABA等，以及它们的不同变体如MT29F32G08CBABB和MT29F256G08CUCBB。这份文档对于了解这些闪存芯片在工业应用中的关键特性至关重要。 该系列闪存采用Open NAND Flash Interface (ONFI) 2.1标准，支持多级细胞（MLC）技术，这意味着数据存储密度较高，每个单元可以存储多个位。每一片芯片的组织结构包括： - 页面大小：8字节（4320字节），由4096字节的有效数据区和额外的224字节用于校验或管理信息。 - 块大小：256页，总存储空间为1024KB加上56KB的预留区域。 - 飞行器（Plane）大小：每架包含2个2048块的平面。 - 存储容量对应关系：32GB有4096块，64GB为8192块，128GB为16,384块，而256GB则为32,768块。 在性能方面，分为同步和异步两种模式： - 同步模式下，最高时钟速度可达12ns（DDR），单引脚的读写带宽达到166MT/s。 - 异步模式下，最小读/写延时时间为25ns，具有较高的灵活性。 阵列性能指标包括： - 最大读取一页时间：50微秒 - 平均编程一页时间：900微秒（典型值） - 平均擦除一块时间：3毫秒（典型值） 供电范围为2.7V至3.6V，而某些命令集操作如Q引脚电压可支持1.7V至1.95V或2.7V至3.6V。此外，这些闪存支持高级命令集，如程序缓存、读取缓存（顺序和随机访问）、一次性可编程模式（OTP）、以及多平面操作，这些特性有助于优化存储设备的性能和管理效率。 这份NAND Flash Datasheet是硬件工程师、系统设计师和数据中心管理员在选择和优化使用镁光 Micron NAND Flash Memory时的重要参考资料，它提供了关于容量、速度、接口兼容性以及高级功能的详尽信息。