UTC15N10：高效能N通道MOSFET的数据手册

本文档是关于UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD公司生产的UTC15N10型号的N-Channel增强型MOSFET的数据手册。这款器件利用了先进的技术，提供了极低的导通电阻（RDS(ON)），高开关速度以及低门极充电，适用于对效率有高要求的DC/DC转换器、LCD显示驱动器以及负载开关等应用。 1. **产品概述**: UTC15N10是一款单个N沟道MOSFET，其设计目标是提供优良的性能，如在10V的栅极电压（VGS）下，当漏极电流ID达到8.0A时，其导通电阻RDS(ON)小于100毫欧姆。在4.5V的栅极电压下，同样在8.0A的漏极电流下，RDS(ON)保持在110毫欧姆以下，这确保了高效的电力转换和快速响应。 2. **产品特性**: - **低阻态损耗**: 高效的能效得益于低的RDS(ON)值，有助于降低在开关状态下的功率损失。 - **高速度开关**: 适合需要快速切换的应用，减少信号延迟和电磁干扰。 - **封装选项**: 提供了TO-220、TO-251和TO-252三种封装类型，满足不同尺寸和空间限制的设计需求。 3. **电气符号和引脚分配**: - 栅极(Gate)、源(Source)和漏极(Drain)分别对应于电路图中的各个引脚，对于不同的封装，如TO-220、TO-251和TO-252，这些引脚的位置和名称一致。 - 引脚分配表详细列出了每个型号的封装和相应的引脚标识，例如15N10L-TA3-T表示TO-220封装，G为栅极，D为漏极，S为源极。 4. **订购信息**: - 客户可以根据自己的项目需求选择对应的型号，如15N10L-TA3-T、15N10G-TA3-T等，包装类型包括管装(Tube)和带卷带(Roll)两种，绿色包装(Green Package)体现了对环保的关注，L表示无铅和无卤素。 UTC15N10是一款高性能的MOSFET，通过其卓越的参数和多封装选项，能满足各种工业级电子设备的高效、快速和环保要求。在设计电路时，应仔细考虑其特性，确保与应用系统的兼容性和优化性能。