SOT-89B772晶体管技术规格

"SOT-89װB772.pdf"文档主要介绍了一种塑料封装的PNP型晶体管——B772。该晶体管适用于低速开关应用。 【详细知识点】 1. **封装类型**：SOT-89。这是一种小型表面贴装器件封装，通常用于低功率和中等电流的应用，它有三个引脚，适用于自动化组装生产线，易于焊接和处理。 2. **制造商**：JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. 这是一家生产电子元件的公司，提供SOT-89封装的B772晶体管。 3. **晶体管类型**：B772是PNP型晶体管，这意味着它的基极（B）相对于发射极（E）是正偏置，而集电极（C）在正常工作时相对于发射极是负偏置。 4. **最大额定值**： - **VCBO**：集电极-基极反向电压，最大值为-40V。 - **VCEO**：集电极-发射极反向电压，最大值为-30V。 - **VEBO**：发射极-基极反向电压，最大值为-5V。 - **IC**：连续集电极电流，最大值为-3A。 - **PC**：集电极耗散功率，最大值为0.5W。 - **RӨJA**：结到环境的热阻，250°C/瓦。 - **Tj**：结温，最大值为150℃。 - **Tstg**：存储温度范围，-55℃至150℃。 5. **电气特性**： - **V(BR)CBO**：集电极-基极击穿电压，测试条件为IC=-100μA，IE=0，最小值为-40V。 - **V(BR)CEO**：集电极-发射极击穿电压，测试条件为IC=-10mA，IB=0，最小值为-30V。 - **V(BR)EBO**：发射极-基极击穿电压，测试条件为IE=-100μA，IC=0，最小值为-5V。 - **ICBO**：集电极截止电流，测试条件为VCB=-40V，IE=0，最大值为-1μA。 - **ICEO**：集电极截止电流，测试条件为VCE=-30V，IB=0，最大值为-10μA。 - **IEBO**：发射极截止电流，测试条件为VEB=-6V，IC=0，最大值为-1μA。 - **hFE**：直流电流增益，测试条件为VCE=-2V，IC=-1A，典型值在60至400之间。 - **VCE(sat)**：集电极-发射极饱和电压，测试条件为IC=-2A，IB=0，这是晶体管在饱和区时的电压。 这些参数对于理解B772晶体管在电路中的行为和确定其在设计中的适用性至关重要。例如，电流增益hFE决定了晶体管作为放大器或开关的效率，而击穿电压则决定了其耐受反向电压的能力。热阻RӨJA和最大功率耗散PC是考虑散热设计时的重要因素。