半导体存储器详解：ROM、EPROM、EEPROM与Flash Memory

本篇文档主要介绍了只读存储器（ROM）在汇编语言中的应用，以及存储器系统的相关内容。首先，文章强调了只读存储器的不同类型，如掩膜ROM（信息永久写入，不可更改）、PROM（一次性编程，仅能编程一次）、EPROM（紫外线擦除可编程，允许多次擦除和编程）、EEPROM（电擦除可编程，适合在线擦除和编程）和Flash Memory（闪存，块擦除的EEPROM）。这些存储器类型的特点、速度、集成度和适用场景进行了详细对比。 存储器系统的核心部分包括半导体存储器，如双极型和MOS型，它们在速度和集成度上有所区别。随机存取存储器（RAM）如SRAM（速度快，用于小容量系统）和DRAM（慢速但高集成度，适用于大容量系统），还有非易失性RAM（NVRAM）带有电池保持数据，即使断电也能保持信息。 只读存储器ROM按照制造工艺和使用属性分类，具有稳定性差异。掩膜ROM信息固定，而PROM、EPROM和EEPROM提供了不同程度的可编程性。Flash Memory虽然速度较快，但擦写方式是块级的，不支持单个单元操作。 文档还深入讲解了半导体存储器芯片的结构，包括存储体（存放信息的单元）、地址译码电路（确定访问哪个存储单元）、片选和读写控制逻辑（管理对存储器的操作）。这种结构设计使得CPU能够有效地与存储器交互，实现数据的存储和检索。 本文是汇编学习者理解存储器系统特别是只读存储器工作原理的重要参考资料，涵盖了硬件技术、编程模型以及实际应用的方方面面。通过阅读和实践，读者可以掌握如何在汇编编程中充分利用这些不同类型的存储器。