"NAND FLASH基础知识：SLC和MLC闪存的区别及特点"

本文主要讨论了围绕SSD硬盘的SLC和MLC两种不同类型的NAND FLASH芯片。在SSD中，除了主控芯片和缓存芯片之外，大片区域被NAND FLASH芯片占据。目前市场主要的NAND FLASH供应商是三星和intel，大部分的SSD产品使用了三星的NAND FLASH，而intel的X18、X25系列则采用了intel自己的NAND FLASH。NAND FLASH分为SLC和MLC两种类型，它们的特性和实际性能存在较大差距。 SLC全称为单层式储存（Single Level Cell），它的基本原理是一个Block只存储两种电荷值，用高低不同的电压表示0和1。因为只需要一组高低电压就可以区分出0或1信号，所以SLC的驱动电压可以设计得很低。由于结构简单，写入数据时电压变化的区间小，SLC的寿命较长，传统的SLC Flash可以经受10万次的读写，因此坏块的几率较小。SLC的存储结构简单，只需要一组电压即可驱动，因此其速度表现更出色。但是SLC的存储密度较低，无法实现高存储密度，这也是其容量相对较小的原因。 相比之下，MLC全称为多层式储存（Multi Leveled Cell），其基本原理是采用较高的电压驱动，在一个块中记录两组位信息（00、01、11、10），通过不同级别的电压可以将原本SLC的记录密度提升一倍。但是与SLC相比，MLC存在一些缺点。由于电压区间更小，Flash需要更多的CRC校验空间，占据大约10%的空间，因此实际使用中，同制程同晶圆面积的MLC的容量不到SLC的一倍。另外，由于MLC Flash的电压变化更频繁，其寿命相较SLC要差一些，官方给出的可擦写次数仅为1万次。这也是目前MLC技术最致命的缺点之一。此外，MLC的读写速度也不如SLC，这也是其劣势之一。 在总体上，SLC和MLC各有优劣之处，用户在购买SSD硬盘时需要根据自己的需求来选择合适的产品。如果需要更高的寿命和读写速度，可以选择SLC。如果对容量和成本更为看重，可以选择MLC。无论选择哪种类型的硬盘，都需要注意合理使用和维护，以延长其使用寿命。