IPD110N12N3G-VB:高性能N沟道TO252 MOSFET参数详解
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更新于2024-08-03
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"IPD110N12N3G-VB是一款N沟道TO252封装的MOSFET,适用于各种电子设备的开关和驱动应用。这款MOSFET具有高耐压和大电流能力,适用于电源管理、电机控制和其他需要高效能开关元件的场合。"
本文将详细介绍IPD110N12N3G-VB MOSFET的主要特性和参数,以便读者更好地理解和应用这款器件。
IPD110N12N3G-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其主要特点是采用了TO-252封装,这种封装方式紧凑且散热性能良好,适合在空间有限且需要良好热管理的电路设计中使用。TO-252封装通常包含三个引脚:源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
此MOSFET的关键参数包括:
1. **耐压能力**:最大漏源电压VDS为100V,这意味着它可以承受高达100V的电压而不损坏。
2. **电流承载能力**:在25°C时,连续漏极电流ID可达到85A,而在125°C时则为75A。此外,脉冲漏极电流IDM可以达到300A,展示了其强大的瞬时电流处理能力。
3. **导通电阻**:在VGS=10V时,RDS(on)仅为0.0075Ω,而VGS=4.5V时为0.0095Ω,这意味着在导通状态下,器件的内部电阻非常低,从而减少了功率损耗和发热。
4. **安全工作区**:MOSFET的绝对最大额定值包括栅源电压VGS的正负20V,以及最大功耗PD在25°C时为210W,而在TO-252封装下为3.25W。这些参数确保了在正常使用条件下器件的可靠性。
5. **温度范围**:工作结温与储存温度范围从-55°C到175°C,保证了器件在宽温范围内也能稳定工作。
在实际应用中,IPD110N12N3G-VB适用于电源开关、直流电机驱动、逆变器、负载开关等场景。它的低导通电阻和高电流能力使其在高效率、高功率密度的系统中尤其有价值。然而,设计者必须注意,长时间在绝对最大额定值附近工作可能会影响器件的寿命和可靠性,因此在设计电路时应确保不超过这些限制。
IPD110N12N3G-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,具备良好的耐压、电流能力和低导通电阻,适合于需要高效率、大电流处理能力的电子设计。在使用时,应遵循制造商提供的规格书,确保正确地评估和应用器件,以保证系统的稳定和持久性。
2023-09-23 上传
2023-04-27 上传
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