TWGMC SI2301 MOSFET规格书：20V P沟道MOSFET详细参数

"该文档是TWGMC（台湾迪嘉）生产的场效应管MOSFET SI2301的规格书，适用于硬件电路设计和开发。内容包括了MOSFET的特性、应用、最大额定值、电气特性等详细参数。" 场效应管（MOSFET）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件，特别是SI2301这种由TWGMC制造的P沟道20-V MOSFET。TrenchFET技术的应用使得这款MOSFET在性能上有显著提升，适合于便携式设备的负载开关和直流/直流转换器等场景。 规格书中列出的最大额定值对理解MOSFET的工作边界至关重要。在25℃环境下，漏极-源极电压VDS的最大值为-20V，栅极源电压VGS的范围是±8V，连续漏极电流ID的最大值为-2.8A，脉冲漏极电流IDM可达到-10A，而源漏二极管连续电流IS为-0.72A。此外，MOSFET的最大功率耗散是0.35W，结点到环境的热阻RθJA为357℃/W。 电气特性方面，MOSFET的漏极-源极击穿电压V(BR)DSS在VGS=0V，ID=-250μA时应为-20V。栅极-源极阈值电压VGS(th)在VDS=VGS，ID=-250μA时介于-0.4V至-1V之间。栅极源泄漏电流IGSS在VDS=0V，VGS=±8V时不大于±100nA。零栅极电压漏极电流IDSS在VDS=-20V，VGS=0V时不超过1μA。漏极-源极导通电阻RDS(on)在特定条件下，如VGS=-2.5V，ID=-2.0A时，其值在0.110Ω至0.142Ω之间。正向跨导gfs在VDS=-5V，ID=-2.8A时为6.5S，反映了MOSFET的开关速度。 动态特性方面，MOSFET的输入电容Ciss为405pF，输出电容Coss为75pF，反向传输电容Crss在特定条件下约为55pF。总栅极电荷Qg在3.3nC到6nC之间，门源电荷Qgs为0.7nC，门漏电荷Qgd在1.3nC左右。门电阻Rg在1MHz频率下为6.0Ω。开关性能参数如接通延迟时间td(on)在11ns到20ns之间，上升时间tr为35ns到60ns，关断延迟时间td(off)则介于这两个数值。 这些详细的技术参数对于评估SI2301在实际电路设计中的适用性至关重要，帮助工程师计算功耗、热管理以及优化开关性能。在设计过程中，确保MOSFET的工作条件在这些参数范围内，可以保证其稳定性和效率。