英飞凌IAUT260N10S5N019 OptiMOS™-5 功率晶体管技术规格

"IAUT260N10S5N019 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 该文件详细介绍了英飞凌科技公司生产的IAUT260N10S5N019型号的OptiMOS™-5 Power Transistor。OptiMOS™-5系列是英飞凌推出的一种高性能、低电阻的功率晶体管，主要应用于汽车电子、电源管理以及其他需要高效能和高可靠性的领域。 这款N沟道增强型MOSFET芯片经过了AEC（汽车电子委员会）的资格认证，确保其符合汽车行业对电子元件的严格标准。此外，它符合MSL1等级，可承受高达260°C的峰值再流温度，并且是一款绿色环保产品，符合RoHS（有害物质限制）规定。 在电气特性方面，IAUT260N10S5N019的最大连续漏极电流（ID）在环境温度TC为25°C、栅极电压VGS为10V时为260A，而在TC=100°C、VGS=10V时为197A。脉冲漏极电流ID,pulse在TC=25°C时可达1040A。在安全性方面，该芯片能够承受130A单脉冲雪崩能量EAS为400mJ，以及最大260A的单脉冲雪崩电流IAS。栅极源电压VGS的最大值为±20V，而总功率耗散Ptot在TC=25°C时为300W。 热特性方面，结壳热阻RthJC为0.5 K/W，这表明该芯片具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作。操作和储存温度范围为-55°C到175°C，符合IEC气候类别55/175/56的标准。 封装信息显示，IAUT260N10S5N019采用P/G-HSOF-8-1封装，产品标记为5N10019，有8个引脚。该芯片还具有1.9毫欧的极低静态导通电阻RDS(on)，在大电流应用中能显著降低功耗。 总体而言，IAUT260N10S5N019是一款高性能、低损耗的N沟道MOSFET，特别适合需要大电流、低热阻和高耐压的应用。其卓越的电气特性和可靠性使其成为汽车电子系统、工业电源和电力转换等领域的理想选择。