DDR布局指南：走线长度与电路板设计要点

"亿图图示v9用户手册中的‘导线走线长度’章节主要关注DDR内存技术的布局设计，特别是DDR2的走线规则和注意事项。手册指出DDR的差分时钟线CK和CK#应保持在同一层布线，以确保误差不超过+-20mil，最佳误差为+-10mil，且推荐在内层布线以减少电磁干扰(EMI)。在多DDR器件系统中，需要使用100~200ohm的电阻进行差分端接。" DDR技术的发展经历了从SDRAM到DDR、DDR2再到DDR3的过程。SDRAM常用于对速度要求不高的场景，而DDR2目前在嵌入式系统中占据主导地位，预计DDR3会逐渐替代DDR2。DDR、DDR2和DDR3的主要区别在于它们的预存取技术，但它们的外部接口速率相似，如clock、strobe、data、address、control和command等。尽管DDR的clock频率为266MHz，但数据速率（BitRate）通常被理解为533MHz，因为一个周期包含'0'和'1'。 DDR/DDR2/DDR3的布局指南包括以下几个关键点： 1. Micron和Freescale的设计指南建议，VSS被视为数字地，VSSQ为信号地，通常两者可视为等效。VDD是内核电源，VDDDQ用于DQ和I/O电源，同样在未特别说明的情况下等效。 2. 信号组的定义：DQ、DQS、DM组成数字信号组，每个字节又分为Lane组；ADDRESS为地址信号组；CAS#、RAS#、WE#为命令信号组；CS#、CKE为控制信号组；CK和CK#为时钟信号组。 3. PCB堆叠推荐采用6层设计，阻抗控制在50~60ohm，电路板厚度为1.5英寸，这些设计有助于优化信号完整性和降低EMI。 在进行DDR2布局时，还需要考虑以下几点： - 差分对的匹配至关重要，以保持信号完整性。 - 时钟线和数据线应尽可能短且平行，减少延迟和信号失真。 - 地平面和电源平面的布局要合理，确保良好的电源稳定性和噪声抑制。 - 信号层和电源/地层的正确配置能有效降低串扰。 通过遵循这些DDR2布局指南，可以提高系统性能，降低信号错误率，确保设计的可靠性和稳定性。同时，配合使用DDR2设计检查列表和其他相关文档，可以进一步优化DDR设计。