英飞凌IPD80P03P4L-07 OptiMOS-P2 功率晶体管技术规格

"IPD80P03P4L-07是英飞凌公司生产的OptiMOS-P2系列的一款功率晶体管，主要用于电子元器件应用，特别适合于反向电池保护。这款芯片具有AEC（汽车电子委员会）认证，符合严格的汽车级品质标准，同时满足环保要求，符合RoHS规定。" 该芯片的主要特性包括： 1. P通道逻辑电平增强模式：这使得该器件能够在低电压逻辑控制下工作，适用于与微控制器等数字电路的接口。 2. AEC合格：表明该产品通过了汽车行业的一系列质量测试，适合用于汽车电子系统。 3. MSL1级别：表示其湿气敏感度等级，能在高达260°C峰值回流温度下工作，提高了焊接的可靠性。 4. 175°C操作温度：能承受较高的工作环境温度，适应各种恶劣环境。 5. 100%雪崩测试：确保在过电流条件下具有良好的耐受性，增强了安全性。 6. 设计用于反向电池保护：在电池极性反转时能提供保护，防止电路损坏。 技术规格方面： - 最大连续漏电流（ID）：在25°C时，VGS=-10V时，最大值为-80A，而在100°C时，这一数值降至-65A。 - 脉冲漏电流（ID，pulse）：在25°C时，瞬时最大漏电流可达-320A。 - 单脉冲雪崩能量（EAS）：在ID=-40A时，最大值为135mJ，表明其在短路情况下的能量承受能力。 - 单脉冲雪崩电流（IAS）：未指定条件下，最大值为-80A。 - 栅源电压（VGS）：范围在+5V到-16V之间，确保了宽泛的工作电压范围。 - 功率耗散（Ptot）：在25°C下，最大功率耗散为88W。 - 工作和存储温度：范围在-55°C到175°C之间，涵盖极端环境。 - 热阻（RthJC）：从芯片到外壳的热阻为1.7 K/W，影响了芯片的散热性能。 封装信息： - 类型：IPD80P03P4L-07 - 封装：PG-TO252-3-11 - 标记：4P03L07 总结： IPD80P03P4L-07是一款高性能、高可靠性且符合汽车行业标准的P通道MOSFET，适用于需要高电流处理能力和良好热特性的应用，如汽车电子、电源管理以及电池保护等领域。其优秀的电气性能和耐久性使其成为电子设计中的理想选择。