英飞凌IRF8736芯片中文规格书：低RDS(on)与高效能

"IRF8736 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 本文档详细介绍了英飞凌科技公司（INFINEON）的IRF8736PbF HEXFET PowerMOSFET芯片。这款芯片主要用于电源管理，特别是在笔记本处理器电源和隔离式直流-直流转换器的同步整流中。 关键特性包括： 1. 非常低的RDS(on)：在4.5V的栅极电压（VGS）下，IRF8736PbF具有非常低的导通电阻，这有助于在高电流应用中实现高效的功率传输，减少功率损耗。 2. 低栅极电荷：较低的门极电荷意味着更快的开关速度，可以提高系统的整体效率和响应时间。 3. 全面表征的雪崩电压和电流：芯片经过严格测试，可承受规定的雪崩电压和电流，保证了在过载条件下的稳定性。 4. RG测试：每个芯片都经过100%的RG测试，确保了产品质量和可靠性。 5. 无铅设计：符合环保标准，不含铅，满足RoHS要求。 技术参数： - 绝对最大额定值： - VDS：漏源电压的最大值，表示芯片能承受的最大电压差。 - VGS：栅极到源极电压的最大值。 - ID@TA=25°C和70°C：在不同温度下的连续漏极电流。 - IDM：脉冲漏极电流的最大值，用于瞬态操作。 - PD：芯片在不同温度下的最大功率耗散。 - TJ和TSTG：操作和存储的温度范围。 - 热性能： - RθJL：结到漏极引脚的热阻，衡量热量从芯片内部传递到引脚的效率。 - RθJA：结到环境的热阻，反映了芯片在空气中冷却的能力。 - 静态参数（TJ=25°C）： - VDSS：击穿电压，确保芯片在正常工作条件下不会损坏。 - RDS(on)max：最大导通电阻，直接影响芯片的导通损耗。 - Qg：门极电荷，衡量开启和关闭MOSFET所需的电荷量。 IRF8736PbF是一款高性能的PowerMOSFET，适用于需要高效能、低损耗和稳定性的电源系统。其设计和制造考虑了可靠性和环境友好性，是电力电子设备中的理想选择。