IRF520NS-VB：100V N沟道TrenchFET MOSFET for Power Applications

"IRF520NS-VB是一款N沟道的TrenchFET功率MOSFET，采用TO263封装，适用于隔离式DC/DC转换器等应用。这款MOSFET具备100V的额定漏源电压（V(BR)DSS），在VGS=10V时的漏源导通电阻（RDS(on)）低至0.100Ω，最大连续漏极电流（ID）为20A。其特性包括175°C的结温、低热阻封装，以及100%栅极电荷测试。" IRF520NS-VB是Infineon或IR公司推出的一款高性能N沟道MOSFET，它的主要特点在于采用了TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上形成深沟槽结构，显著降低了MOSFET的导通电阻，从而提高了效率和散热性能。100V的额定漏源电压使得它能够处理较高的电压波动，适合于电源管理电路和驱动电路。 该器件的最大连续漏极电流ID在环境温度为25°C时为20A，而在125°C时则降低到16A，这是由于随着温度升高，半导体材料的载流子迁移率会下降，导致电流能力下降。脉冲漏极电流IDM达到70A，这意味着在短时间的高电流脉冲下，MOSFET仍能保持稳定。 IRF520NS-VB的栅极源电压VGS的最大值为±20V，这确保了良好的开关性能。此外，它具有200mJ的单脉冲雪崩能量EAS，意味着在特定条件下，器件可以承受一定程度的雪崩击穿而不会损坏。然而，为了安全使用，必须注意其工作在1%的占空比下，以避免过热和潜在的损坏。 在热特性方面，结到壳的热阻RthJC仅为0.4°C/W，表明热量从芯片传递到封装外壳的效率较高。而结到环境的热阻RthJA为40°C/W，这意味着每增加1W的功率损耗，器件温度将上升40°C。因此，设计时应确保足够的散热设施，以确保在高温环境下稳定工作。 IRF520NS-VB适用于需要高效能、高耐压和良好热管理的应用，例如隔离式DC/DC转换器、电机驱动、电源开关等。其符合RoHS标准，意味着不含铅且对环境友好。用户可以通过VBsemi.com获取更多产品信息，或者拨打服务热线400-65进行咨询。