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管脚描述:
管脚序号 名称 说明
1 VG
内部电压调制器输出。为内部驱动电路提供电源。在 VG 管脚和
VCC 管脚之间接一个 100nF 的电容。
2 PGND
功率地
3 GND
模拟地
4
CHRG
漏极开路输出端。在充电状态,内部晶体管将此管脚拉到低电平;
否则,此管脚为高阻状态。
5
DONE
漏极开路输出端。在充电结束状态,内部晶体管将此管脚拉到低
电平;否则,此管脚为高阻状态。
6 TEMP
电池温度监测输入端。在此管脚到地之间连接一个负温度系数的
热敏电阻。
7 EOC
充电结束电流设置端。将此管脚直接接到地或者通过一个电阻接
到地。
8 COM1
回路补偿输入端 1。在此管脚到地之间接一个 470pF 的电容。
9 COM2
回路补偿输入端 2。在此管脚到地之间串联连接一个 120Ω 的电
阻和一个 220nF 的电容。
10 test
测试端。需将此管脚接到地。
11 COM3
回路补偿输入端 3。在此管脚到地之间接一个 100nF 的电容。
12 NC
没有连接
13 CSP
充电电流检测正输入端。此管脚和BAT管脚测量充电电流检测电
阻
R
CS
两端的电压,并将此电压信号反馈给芯片进行电流调制。
14 BAT
电池电压检测输入端和充电电流检测负输入端。内部高精度电阻
分压网络连接到此管脚,同高精度的电压参考源和运算放大器一
起决定了恒压充电电压。
15 VCC
外部电源输入端。VCC 也是内部电路的电源。此管脚到地之间
需要接一个滤波电容。
16 DRV
驱动片外 P 沟道 MOS 场效应晶体管的栅极。
极限参数
VCC,VG,DRV,CHRG,DONE 到 GND 的电压…….…-0.3V to 30V
CSP,BAT 到 GND 的电压………………………………..…-0.3V to 28V
COM3 到 GND 的电压…………………………………...…….6.5V
其它管脚到 GND 的电压………………………..........………-0.3V to V
COM3
+0.3V
存储温度……………………………………………...……..…-65℃---150℃
工作环境温度………………………….…………………….…-40℃---85℃
焊接温度(10 秒)…………………………………………..……300℃
AX3703
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