ACM Transactions on Storage,Vol.号143、第二十七条。出版日期:2018年11月
图四、具有寄生效应的
N
级
CP
(
Jiang et al.2014; Palumbo and Pappalardo2010
)。
列选择器为了写入否则,一个设置电流是generated。电荷泵(CP)被设计为确保功率
足以写入PCM存储器单元。
为了访问单元,存储器控制器必须用其行和列地址定位单元地址首先通过地址
总线从存储器控制器发送到PCM阵列,然后在数据总线上进行数据传输现代系统
可以同时访问多个位,而不是一次访问一个位或一个字节,大多数PCM芯片可以
支持64位或更多位的并发写入。在本文中,我们将使用64位写入来进行说明。因
此,一个芯片能够独立地支持64个并行复位并发64位写在本文中也称为写单元因
此,写入具有64字节的高速缓存行需要8个串行写入。 在写入单元中,当写入操作
是主导部分(称为峰值写入)时,所需电流
大。否则,所需的电流很小。 由于
“0”
和“1”在存储器写入中随机分布,因此PCM写入的当前要求可能会大幅波动。
2.3 PCM电荷泵(CP)基础和建模
2.3.1
CP
基础知识。
CP是一个电子电路,它将所提供的电压
VDD
转换
为直流输出
电压
V
输出
。
V
_out
比
V_
dd
高几倍(即,它是输入电压低于输出电压的DC-DC转换器与
其他传统的DC-DC转换器,employ电感器,CP包括电容器和开关(或二极管)。
因此,将它们集成到基于CMOS的芯片上是可行的(Palumbo和Pappalardo2010)。
由于用于PCM单元写入的电压需要比
V
dd
高得多,因此CP电路已广泛用于PCM
(Jiang et al.2012,2014; Palumbo et al.2006年)。
图4显示了一个典型的N级CP。
N
级中的每一级都可以将电压升高一定量。通过
增加多个级,输出电压可以被提升到目标电平,该目标电平是
Vdd
的数倍。如图所
示,除了
N
个级联级之外,还有一个输出级。每个级联级由泵浦电容器
C
、开关
Si
、信号
Vck
和寄生电容
Cp
组成。输出级由开关
S
out
、电容
C
L
和电流发生器
I
L
组成。为
了向PCM单元提供期望的电流,在第一半时钟周期期间,
Vck
为低并且所有奇数开
关闭合。第一泵浦电容器被充电到Vdd
,
并且奇数级中的所有其他泵浦电容器从先
前级的电容器接收电荷。在随后的半个时钟周期期间,信号V
ck
为高,并且所有偶
数开关闭合。现在奇数级中的所有电容器将电荷传递到