倒转结构有机场效晶体管：并三苯与聚酰亚胺的应用

"这篇论文详细介绍了基于并三苯薄膜的有机场效应晶体管(OFET)的研制过程，其中并三苯作为有源层材料，聚酰亚胺作为绝缘介质。通过旋涂和真空掩蔽蒸发技术，研究人员成功制备出倒转结构的OFET。测试结果显示，该器件的载流子迁移率为5.76×10-2cm²/V·s，跨导为1mS，展现出良好的输出特性曲线。并三苯作为一种有机半导体材料，因其稳定的化学性质和共轭π键系统，适合用于OFET。论文还回顾了自1986年第一只OFET以来，有机半导体材料的发展和应用，强调了OFET在逻辑电路、传感器和集成电路等方面的应用前景。此外，文中指出，有机材料的选择和制备条件控制对器件性能至关重要，同时接触匹配特性也是影响OFET性能的重要因素。" 正文: 有机半导体领域在过去几十年取得了显著进步，尤其是有机场效应晶体管(OFET)的研制。并三苯作为一种关键的有机半导体材料，在OFET中起到了核心作用。并三苯具有稳定的化学性质和共轭π键系统，使得电子可以在分子间自由移动，形成有效的载流子。这种特性使得并三苯成为制造高性能OFET的理想选择。 本文由李东仓、张福甲等人撰写，他们利用并三苯作为活性层，结合聚酰亚胺作为绝缘介质，通过精细的旋涂和真空掩蔽蒸发工艺，成功研制出一种倒转结构的OFET。这种结构设计有助于优化载流子传输，从而提高器件性能。测试数据显示，所制备的OFET的载流子迁移率达到了5.76×10-2cm²/V·s，跨导为1mS，这表明器件具有出色的电流控制能力，能够有效地实现开关操作。 OFET的发展始于1986年，当时基于聚噻吩的器件开启了这一领域的研究。随着时间的推移，各种新型有机半导体材料如共轭高分子、低聚有机物和小分子有机材料相继出现，大大提高了OFET的性能。这些材料的广泛应用，加上其成本低、工艺简单、可室温加工以及柔性等优势，使其在电子设备中具有巨大潜力。例如，互补逻辑电路、气体传感器和有机集成电路的实现，都是OFET技术进步的标志。 然而，为了实现最优的器件性能，有机半导体材料的选择和制备过程必须仔细控制。材料的晶体生长和取向对载流子传输效率至关重要，而有机半导体与电极金属间的接触匹配特性也是影响OFET性能的关键因素。文中提到，相邻分子间的弱范德瓦尔斯相互作用影响着器件的电荷传输效率，因此，优化这些参数是提升OFET性能的重要途径。 基于并三苯的OFET展示了其在有机电子学领域的潜力。随着对有机半导体材料特性的深入理解和新型材料的开发，未来OFET有望在更多应用场景中发挥重要作用，包括柔性电子设备、传感器网络和可穿戴技术等。这项研究不仅推动了有机半导体器件的技术进步，也为相关领域的进一步研究奠定了基础。