C语言实现Flash存储器自编程与注意事项

本文档主要探讨了如何在78K0/KX2嵌入式系统中利用自编程技术来管理和更新Flash存储器的C语言实现。自编程是指用户能够在无需外部工具的情况下，直接对Flash存储器进行数据的擦除和重新写入，这对于简化软件开发过程具有重要意义。 1. **Block与地址管理**: - Flash存储器被划分为多个Block，每个Block通常以1K字节为单位，用于进行擦写和非空检查。用户在使用自编程库时，需要明确指定要操作的Block号，这是进行数据操作的基本单元。 2. **入口RAM和数据保护**: - 入口RAM是库操作时使用的内存区域，对于C语言程序，用户需要预先保留该区域，以便在调用自编程样例库时提供数据的起始地址。由于自编程操作由库独立完成，用户程序在此期间会被挂起。 3. **内部验证与错误处理**: - 写入新数据后，Flash存储器会进行内部验证，确保数据正确无误。如果验证失败，会认为存储器有错误，这对保证数据的可靠性至关重要。 4. **自编程样例库与流程**: - 自编程样例库提供了固件和软件工具，用户通过调用它来进行Flash重写。操作流程包括拉高FLMD0引脚、设置操作环境、初始化入口RAM、检查电平等步骤，然后依次进行字写入、校验和结束操作。 5. **Bootcluster和分区**: - 存储器的特定区域，如Bootcluster，用于防止在写入过程中因掉电或复位导致的数据丢失。对于60KB Flash，它被分为60个Block，其中一部分还预留作内部扩展RAM。 6. **不同Flash容量的差异**: - 60KB Flash和96KB以上Flash在分区上有所不同，例如，96KB以上的部分除了基本的Block和扩展RAM区外，还有额外的程序和函数入口区域。 7. **编程接口**: - C语言编程时，可以通过不同的链接模式调用自编程样例库。使用-SM参数可以将目标代码链接为静态模式，而汇编语言源文件则只能采用静态模式链接库。 通过这个文档，开发者可以了解到如何在C语言环境下有效地管理78K0/KX2的Flash存储器，进行自编程操作，并理解相关的硬件结构和编程流程，这对于嵌入式系统的软件升级和维护非常有用。