富士通MB85RS128A：128K SPI非易失性FRAM芯片

"富士通铁电存储器MB85RS128A是一款基于铁电技术的非易失性内存芯片，提供16,384字×8位的存储容量，采用SPI串行外围接口进行数据传输。该器件无需备用电池即可保持数据，具有超长的读写耐久性，比闪存和EEPROM有显著优势，并且写入速度快，无等待时间。工作电压在3.0V到3.6V之间，最高操作频率可达25MHz，适用于SPI模式0和模式3，工作温度范围为-40°C至+85°C。" 富士通的MB85RS128A是一款高性能的铁电随机访问存储器（FRAM），它结合了铁电工艺和硅栅极CMOS工艺技术，创造出一种非挥发性的内存单元。这种存储器的核心特性在于其128K（16K×8）位的配置，这意味着它能存储16,384个8位字。与传统的静态RAM（SRAM）不同，MB85RS128A在断电后仍能保留数据，因此无需像SRAM那样依赖备用电池来保持数据完整性。 MB85RS128A采用了串行外围接口（SPI）协议，这是一种常见的通信协议，尤其适用于低速、短距离的数据传输。SPI接口支持高速操作，最大工作频率可达到25MHz，这使得MB85RS128A能在短时间内处理大量数据。此外，该器件兼容SPI模式0 (0,0) 和模式3 (1,1)，为系统设计提供了灵活性。 该存储器的另一个突出特点是其极高的读写耐久性。MB85RS128A的内存单元可以承受超过1010次的读/写操作，远超过闪存和EEPROM所能承受的次数，这意味着它在频繁的读写操作下仍能保持稳定性和可靠性。而且，与闪存和EEPROM相比，MB85RS128A的写入速度非常快，没有等待时间，这对于需要快速写入的应用来说是一个巨大的优势。 MB85RS128A的工作电源电压范围为3.0V至3.6V，这个宽泛的电压范围使其能够在多种电源环境下稳定工作。其工作温度范围为-40°C至+85°C，保证了它在各种气候条件下的可靠性能。这款存储器适合于需要高耐用性和快速访问速度的应用，如工业自动化、医疗设备、汽车电子和物联网设备等。 富士通的MB85RS128A铁电存储器凭借其独特的非挥发性、高耐久性和高速写入能力，成为了需要可靠、持久存储解决方案的系统设计者的理想选择。