FDS4435-NL-VB P沟道MOSFET技术参数详解

FDS4435-NL-VB P沟道SOP8封装MOS管 FDS4435-NL-VB是一种P沟道SOP8封装MOS管，具有TrenchFET®PowerMOSFET结构。该MOS管的主要特点包括： 1. Halogen-free：根据IEC61249-2-21定义，该MOS管不含卤素，符合环保要求。 2. TrenchFET®PowerMOSFET结构：该结构可以提供低的on-state电阻，提高了MOS管的效率和可靠性。 3. 100% Rg测试：该MOS管经过了严格的测试，确保其质量和可靠性。 应用场景： 1. 负载开关：FDS4435-NL-VB可以用于负载开关应用，控制电流和电压。 2. 电池开关：该MOS管也可以用于电池开关应用，控制电池的充电和放电。 主要参数： 1. 漏电压（VDS）：-30V 2. 电阻（RDS(on)）：0.018Ω（VGS=-10V），0.024Ω（VGS=-4.5V） 3. 连续电流（ID）：-9.0A（TC=25°C），-7.2A（TC=70°C） 4. 门控电压（VGS）：±20V 5. 门电容（Qg）：13nC 6. 最大功率耗散（PD）：4.2W（TC=25°C），2.7W（TC=70°C） 7. 工作温度范围（TJ）：-55°C to 150°C 8. 热阻（RthJA）：40°C/W（t≤10s） 性能特点： 1. 低电阻：FDS4435-NL-VB具有低的on-state电阻，降低了功率损失和热生成。 2. 高效率：该MOS管的TrenchFET®PowerMOSFET结构可以提供高效率的开关性能。 3. 高可靠性：FDS4435-NL-VB经过了严格的测试，确保其质量和可靠性。 FDS4435-NL-VB是一种高性能的P沟道MOS管，适用于负载开关、电池开关等应用场景。