FDS4435-NL-VB P沟道MOSFET技术参数详解
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更新于2024-08-03
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FDS4435-NL-VB P沟道SOP8封装MOS管
FDS4435-NL-VB是一种P沟道SOP8封装MOS管,具有TrenchFET®PowerMOSFET结构。该MOS管的主要特点包括:
1. Halogen-free:根据IEC61249-2-21定义,该MOS管不含卤素,符合环保要求。
2. TrenchFET®PowerMOSFET结构:该结构可以提供低的on-state电阻,提高了MOS管的效率和可靠性。
3. 100% Rg测试:该MOS管经过了严格的测试,确保其质量和可靠性。
应用场景:
1. 负载开关:FDS4435-NL-VB可以用于负载开关应用,控制电流和电压。
2. 电池开关:该MOS管也可以用于电池开关应用,控制电池的充电和放电。
主要参数:
1. 漏电压(VDS):-30V
2. 电阻(RDS(on)):0.018Ω(VGS=-10V),0.024Ω(VGS=-4.5V)
3. 连续电流(ID):-9.0A(TC=25°C),-7.2A(TC=70°C)
4. 门控电压(VGS):±20V
5. 门电容(Qg):13nC
6. 最大功率耗散(PD):4.2W(TC=25°C),2.7W(TC=70°C)
7. 工作温度范围(TJ):-55°C to 150°C
8. 热阻(RthJA):40°C/W(t≤10s)
性能特点:
1. 低电阻:FDS4435-NL-VB具有低的on-state电阻,降低了功率损失和热生成。
2. 高效率:该MOS管的TrenchFET®PowerMOSFET结构可以提供高效率的开关性能。
3. 高可靠性:FDS4435-NL-VB经过了严格的测试,确保其质量和可靠性。
FDS4435-NL-VB是一种高性能的P沟道MOS管,适用于负载开关、电池开关等应用场景。
2023-12-22 上传
2024-01-03 上传
2023-12-27 上传
2024-01-05 上传
2023-12-29 上传
2023-12-26 上传
2023-12-26 上传
2023-12-19 上传
2024-01-10 上传
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