SQ4284EY-T1-GE3-VB：双N沟道60V MOSFET，SOP8封装

"SQ4284EY-T1-GE3-VB是一种双N沟道60V MOSFET，采用SOP8封装" SQ4284EY-T1-GE3-VB是一款高性能的双通道N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于在各种电源管理应用中提供高效能和高可靠性。这款器件采用了TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，能够在减小芯片尺寸的同时提高开关性能和降低导通电阻。 该MOSFET的主要特点包括： 1. TrenchFET结构：这种结构通过在硅片上挖出细小的沟槽，实现了更薄的氧化层和更低的电阻，从而在低电压下实现高速切换，并降低了工作时的功耗。 2. 100%的Rg和UIS测试：每个器件都经过严格的测试，确保栅极电阻（Rg）和雪崩能量承受能力（UIS），以保证其稳定性和耐用性。 3. 双通道设计：每个SOP8封装内包含两个独立的N沟道MOSFET，可分别控制两个电路路径，适用于需要独立开关操作的应用场景。 规格参数如下： - 最大漏源电压（VDS）：60V，这表明该MOSFET能够承受的最大电压差，确保了在额定电压下的安全运行。 - 在VGS=10V时的导通电阻（RDS(on)）：0.028Ω，这代表了在10V栅极电压下，电流通过晶体管时的内部电阻，数值越小，导通状态下的功率损失越小。 - 在VGS=4.5V时的导通电阻（RDS(on)）：0.030Ω，这是在较低栅极电压下的性能指标，适用于低电压驱动的应用。 - 每个通道的最大连续漏极电流（ID）：7A，在25°C条件下，每个MOSFET能持续通过的最大电流。 - 工作结温范围：-55°C到+175°C，允许MOSFET在广泛的温度环境下工作。 此外，SQ4284EY-T1-GE3-VB还具有以下绝对最大额定值： - 栅极-源极电压（VGS）：±20V，超过这个值可能会损坏MOSFET。 - 连续源电流（IS）：3.6A，当MOSFET作为二极管导通时的最大电流。 - 脉冲漏极电流（IDM）：28A，短时间内脉冲电流的上限。 - 单脉冲雪崩电流（IAS）：18A，允许的单脉冲雪崩电流。 - 单脉冲雪崩能量（EAS）：16.2mJ，MOSFET能够承受的最大雪崩能量。 热特性方面，该MOSFET的结壳热阻（RthJA）为110°C/W，这意味着每增加1W的功率损耗，结温将升高110°C。这在设计散热方案时非常重要，以确保器件在高负载下不会过热。 SQ4284EY-T1-GE3-VB是一种适合于需要高效能、低功耗和双通道控制的电源管理应用的MOSFET，广泛应用于汽车电子、工业控制、电池管理系统以及开关电源等领域。它的高性能和高可靠性使其成为许多设计师的首选组件。