AP6679GH-VB-MOSFET产品应用参数详解

"AP6679GH-VB-MOSFET产品应用与参数解析" AP6679GH-VB是一款P沟道MOSFET，具有-30V的漏源电压和-60A的连续漏电流，RDS(ON)分别为9mΩ@10V和12mΩ@4.5V。该器件的阈值电压为-1.71V，封装形式为TO-252。 在这个MOSFET中，Gate-Source电压的绝对最大额定值为±20V，连续漏电流的最大额定值为-70A，脉冲漏电流的最大额定值为-240A。该器件的avalanche电流为-60A，avalanche能量为180mJ。其功率耗散为120W，工作结温和存储温度范围为-55°C到175°C。热阻值为68.5°C/W。 AP6679GH-VB MOSFET的特点包括RoHS指令2002/95/EC的符合性，P沟道MOSFET，-30V漏源电压，-60A连续漏电流，RDS(ON)为9mΩ@10V和12mΩ@4.5V，-1.71V阈值电压，TO-252封装形式等。 在实际应用中，AP6679GH-VB MOSFET可以应用于电源管理、电机驱动、Audio设备等领域。由于其高的漏源电压和大电流能力，使其非常适合用在高电压、高电流的应用场景中。 此外，AP6679GH-VB MOSFET的 datasheet 还提供了详细的参数列表，包括绝对最大额定值、电气特性、热阻值等信息，为设计者和开发者提供了详细的参考信息。 AP6679GH-VB MOSFET是一款功能强大、高性能的P沟道MOSFET，非常适合用在高电压、高电流的应用场景中。