AP6679GH-VB-MOSFET产品应用参数详解
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更新于2024-08-03
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"AP6679GH-VB-MOSFET产品应用与参数解析"
AP6679GH-VB是一款P沟道MOSFET,具有-30V的漏源电压和-60A的连续漏电流,RDS(ON)分别为9mΩ@10V和12mΩ@4.5V。该器件的阈值电压为-1.71V,封装形式为TO-252。
在这个MOSFET中,Gate-Source电压的绝对最大额定值为±20V,连续漏电流的最大额定值为-70A,脉冲漏电流的最大额定值为-240A。该器件的avalanche电流为-60A,avalanche能量为180mJ。其功率耗散为120W,工作结温和存储温度范围为-55°C到175°C。热阻值为68.5°C/W。
AP6679GH-VB MOSFET的特点包括RoHS指令2002/95/EC的符合性,P沟道MOSFET,-30V漏源电压,-60A连续漏电流,RDS(ON)为9mΩ@10V和12mΩ@4.5V,-1.71V阈值电压,TO-252封装形式等。
在实际应用中,AP6679GH-VB MOSFET可以应用于电源管理、电机驱动、Audio设备等领域。由于其高的漏源电压和大电流能力,使其非常适合用在高电压、高电流的应用场景中。
此外,AP6679GH-VB MOSFET的 datasheet 还提供了详细的参数列表,包括绝对最大额定值、电气特性、热阻值等信息,为设计者和开发者提供了详细的参考信息。
AP6679GH-VB MOSFET是一款功能强大、高性能的P沟道MOSFET,非常适合用在高电压、高电流的应用场景中。
2023-12-19 上传
2023-10-26 上传
2023-10-23 上传
2023-11-16 上传
2024-09-21 上传
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2024-09-21 上传
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