K9F1G08 NAND Flash 存储器详细规格及特性
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更新于2024-07-31
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"K9F1G08UOM数据手册128M*8Bit/64M*16Bit NAND Flash Memory"
K9F1G08是一款由三星(Samsung)生产的NAND闪存芯片,适用于各种电子设备中的数据存储。这款芯片有两种主要型号,分别针对不同电压范围:K9F1G**Q0M系列适用于1.8V供电,而K9F1G**U0M系列适用于3.3V供电。它们都有X8的组织结构,即每个芯片有8条并行的数据线,可以同时处理8位数据。
在存储能力方面,8设备的K9F1G08*0M系列提供128M + 4096K Bit的存储空间,而16设备的K9F1G16*0M系列则提供64M + 2048K Bit的存储空间。这意味着8位版本具有更大的总存储容量,而16位版本提供了更高的数据宽度,从而可能在某些应用中提供更快的读写速度。
K9F1G08系列的内存结构包括存储单元阵列、数据寄存器和缓冲寄存器。数据寄存器用于临时存储待写入或已读出的数据,而缓冲寄存器则支持快速的编程和读取操作。对于8设备的版本,数据和缓冲寄存器的容量为2K+64 Bit*8Bit,16设备版本则相应地减半。
自动编程与芯片擦除功能是该器件的重要特性。页编程允许一次写入2K(8设备)或1K(16设备)字节的数据,而块擦除操作则涉及128K(8设备)或64K(16设备)字节的数据。这些操作的执行速度相对快速,页编程典型时间为300微秒,块擦除典型时间为2毫秒。
在读取性能方面,K9F1G08系列提供了快速的随机读取和连续存取时间。单页大小为2K字节(8设备)或1K字节(16设备),随机最大读取时间为25微秒,连续存取时间为50纳秒。这使得它非常适合高速数据传输的场景。
此外,K9F1G08系列还具备硬件数据保护机制,确保在电源变化时编程和擦除操作会自动停止,保护数据的安全。采用CMOS浮置门技术,保证了芯片能承受100K次的编程/擦除循环,并且数据可以保持长达10年。
除了基本的读写操作,该芯片还支持多种高级功能,如命令寄存器操作、缓冲编程以提高编程速度、通电自动读操作、智能复制拷贝以及唯一的ID保护,以防止盗版。这些特性使得K9F1G08系列成为嵌入式系统和移动设备中理想的非易失性存储解决方案。该器件可采用TSOP1或WSOP1封装,适应不同的电路板布局需求。
2011-01-21 上传
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jim166784
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