K9F1G08 NAND Flash 存储器详细规格及特性

"K9F1G08UOM数据手册128M*8Bit/64M*16Bit NAND Flash Memory" K9F1G08是一款由三星(Samsung)生产的NAND闪存芯片，适用于各种电子设备中的数据存储。这款芯片有两种主要型号，分别针对不同电压范围：K9F1G**Q0M系列适用于1.8V供电，而K9F1G**U0M系列适用于3.3V供电。它们都有X8的组织结构，即每个芯片有8条并行的数据线，可以同时处理8位数据。 在存储能力方面，8设备的K9F1G08*0M系列提供128M + 4096K Bit的存储空间，而16设备的K9F1G16*0M系列则提供64M + 2048K Bit的存储空间。这意味着8位版本具有更大的总存储容量，而16位版本提供了更高的数据宽度，从而可能在某些应用中提供更快的读写速度。 K9F1G08系列的内存结构包括存储单元阵列、数据寄存器和缓冲寄存器。数据寄存器用于临时存储待写入或已读出的数据，而缓冲寄存器则支持快速的编程和读取操作。对于8设备的版本，数据和缓冲寄存器的容量为2K+64 Bit*8Bit，16设备版本则相应地减半。 自动编程与芯片擦除功能是该器件的重要特性。页编程允许一次写入2K（8设备）或1K（16设备）字节的数据，而块擦除操作则涉及128K（8设备）或64K（16设备）字节的数据。这些操作的执行速度相对快速，页编程典型时间为300微秒，块擦除典型时间为2毫秒。 在读取性能方面，K9F1G08系列提供了快速的随机读取和连续存取时间。单页大小为2K字节（8设备）或1K字节（16设备），随机最大读取时间为25微秒，连续存取时间为50纳秒。这使得它非常适合高速数据传输的场景。 此外，K9F1G08系列还具备硬件数据保护机制，确保在电源变化时编程和擦除操作会自动停止，保护数据的安全。采用CMOS浮置门技术，保证了芯片能承受100K次的编程/擦除循环，并且数据可以保持长达10年。 除了基本的读写操作，该芯片还支持多种高级功能，如命令寄存器操作、缓冲编程以提高编程速度、通电自动读操作、智能复制拷贝以及唯一的ID保护，以防止盗版。这些特性使得K9F1G08系列成为嵌入式系统和移动设备中理想的非易失性存储解决方案。该器件可采用TSOP1或WSOP1封装，适应不同的电路板布局需求。