英飞凌BSC0924NDI双N沟道OptiMOS MOSFET技术规格

"BSC0924NDI是一款由英飞凌Infineon生产的双通道N沟道OptiMOS™ MOSFET芯片，具备集成了单片式肖特基样二极管，专为高性能Buck转换器优化设计。这款芯片支持逻辑电平驱动（额定4.5V），通过了100%雪崩测试，并根据JEDEC标准对目标应用进行资格认证。它采用无铅引脚电镀，符合RoHS标准，且不含卤素，符合IEC61249-2-22的规定。在不同的工作条件下，该芯片的最大连续漏电流、脉冲漏电流、雪崩能量以及栅源电压等参数有所不同。" 详细说明： 1. **产品特性**：BSC0924NDI是一款双通道的N沟道MOSFET，集成了类似肖特基的单片二极管，特别适合用于高效能的Buck降压转换器。其工作逻辑电平低至4.5V，确保了与各种控制电路的兼容性。 2. **安全性和可靠性**：这款芯片经过100%的雪崩测试，确保了在过载条件下的安全性。此外，它遵循JEDEC的标准，适用于特定的应用场景，这表明其设计和制造已达到行业认可的可靠性水平。 3. **环保特性**：采用无铅引脚电镀，符合RoHS指令的要求，不含有害物质，符合卤素限制的IEC61249-2-22标准，具有良好的环保性能。 4. **技术参数**：在25°C时，若栅源电压VGS为4.5V，两个通道的连续漏电流分别为17A和32A；当温度升高到70°C，漏电流会相应降低。脉冲漏电流在70°C时可达到160A。单脉冲雪崩能量EAS在Q1和Q2均流20A，栅极电阻25W时分别为9mJ和10mJ。 5. **功率和温度**：在25°C下，总功耗Ptot最高可达2.5W，而采用最小散热垫（一层，70μm厚）时，功率限制为1.0W。操作和储存的温度范围根据IEC的气候分类标准DIN IEC68-1设定。 6. **应用环境**：设备在40mm x 40mm x 1.5mm的环氧树脂PCB FR4板上（单层，70μm厚，面积6cm²）的性能数据被提及，说明了实际应用中的安装和散热条件。 7. **更多信息**：详细的技术参数如脉冲漏电流和雪崩能量，需要参考图3获取，这提供了更深入的电气特性信息。 BSC0924NDI是一款针对高效率电源转换应用设计的高性能MOSFET，具有出色的集成度、可靠性和环保特性，适用于需要高效率电源管理的电子设备。