STP9N60M2-VB是一种高性能的N沟道650V耐压TO220封装MOS场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),特别适用于需要低开关和传导损耗的应用场景。其关键特性包括:
1. **低 figure-of-merit (FOM) RonxQg**:这种设计降低了在栅极漏电流(Ron)与栅极电荷(Qg)之间的比率,这有助于提高能源效率,减少在开关操作中的损耗。
2. **低输入电容 (Ciss)**:低输入电容意味着在信号传输时可以更快地响应,减少电源噪声和电磁干扰。
3. **超低栅极电荷 (Qg)**:Qg值低至43nC,使得开关速度更快,适合高频应用,如开关模式电源(SMPS)。
4. **Avalanche能量等级 (UIS)**:该器件具有较高的抗雪崩能力,能够承受一定的过电压冲击,确保设备在高压环境下稳定工作。
5. **应用领域广泛**:
- 服务器和电信电源供应
- 开关模式电源转换器(如电源因数校正PFC)
- 高能效照明(如高强度放电灯HID和荧光灯镇流器)
- 工业级应用
6. **参数限制与最大额定值**:
- VDS最大电压:650V
- RDS(on) @ 25°C,VGS = 10V 下的导通电阻:0.0Ω
- 最大连续漏电流 (ID):在TJ=150°C下,VGS=10V时,ID可达12A;随着温度升高有线性降额。
- 最大脉冲漏电流 (IDM):在特定条件下,可达45A
- 单次脉冲雪崩能量 (EA):考虑了安全裕度
在选择和使用STP9N60M2-VB时,请注意以下几点:
- 频繁操作时,需考虑脉宽受限的最大结温限制。
- 针对特定条件下的电流密度,如ISD(饱和漏电流)和di/dt(瞬态电流变化率),参考给出的数据。
- 与电路设计紧密配合,注意散热,因为该器件在高温环境下的功率处理能力会有所下降。
- 产品规格中提到的1.6mm距离指的是栅极到外壳的距离,用于热管理。
STP9N60M2-VB是一款高效率、低损耗且耐压的N沟道MOSFET,适用于对电源效率要求高的电子设备,如服务器电源、照明系统和工业应用中的电源转换电路。在实际应用中,要充分理解并遵守制造商提供的所有限制条件,以确保器件的可靠性和使用寿命。