高通平台锂离子电池充电策略与通路晶体管管理

高通平台充电方案是一个专为锂离子电池设计的高效且安全的充电策略，它充分考虑了电池的充放电特性。锂离子电池在充电过程中，其电压上限被严格控制，通常不超过4.2V，实际操作中可能调整在4.10V到4.35V之间，以防止过度充电导致电池损坏。单体电池的充电电流一般限制在1C以下，确保电池的安全性。 在放电阶段，单体电池的放电电流限制在3C以下，这样可以延长电池寿命并避免瞬间大电流对电池造成损害。同时，放电电压最低阈值设定为2.2V，以保护电池免于深度放电，从而影响其性能和寿命。 高通平台的充电通路管理非常关键。外部通路晶体管的控制主要由PM IC负责，它可以进行闭环控制，包括校准VDD电压、检测电流和电池电压。为了保护系统，通路晶体管的阻抗被增加，用于过流和过热保护。PM IC通过测量电压和电流来监控晶体管的功率消耗，并在必要时通过CHG-CTL-N信号调整电流，以防止超出设计限制。 通路晶体管的功率消耗是可编程的，允许设置为0.4W、0.5W、0.6W等不同级别，以适应不同的充电需求。设计时，应选择接近锂电池最高电压的外部供电，以减小电压降，同时优化充电器输出电压以降低过载情况下的电压。在恒流充电阶段，为了防止晶体管过热，通常保持其在饱和状态，只有在特殊情况下才会进入放大区。 此外，平台限流功能也会影响充电过程。如果平台限流大于墙充的额定电流，PM IC会自动调整充电三极管的工作状态，使得在恒流充电期间，Vbus电压会降低，晶体管保持在低Vce状态，从而减少管耗。高通平台的充电方案通过精细的管理和控制，确保了电池的高效、安全和长久使用。