英飞凌AUIRF7669L2TR汽车级功率MOSFET技术规格

"AUIRF7669L2TR INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册" 本文将详细介绍英飞凌（INFINEON）的AUIRF7669L2TR芯片，这是一款适用于汽车级应用的高性能功率MOSFET，结合了最新的半导体技术与先进的DirectFET封装设计，旨在提供极低的导通电阻和高效的散热性能。 AUIRF7669L2TR是该系列的基础部分编号，其封装类型为DirectFET Large Can，这是一种紧凑型封装，旨在保持小体积的同时提供大电流处理能力。封装形式为Tape and Reel，每卷标准数量为4000个。该器件符合汽车级标准，保证在严苛的汽车环境中稳定工作。 在电气特性方面，AUIRF7669L2TR的最大额定漏源电压（V(BR)DSS）为100V，这意味着它能够在100V的电压下正常工作而不被击穿。其典型的导通电阻（RDS(on) typ.）仅为3.5毫欧，这确保了在开关操作时的低损耗，从而提高了系统效率。最大硅限制的持续漏极电流（ID Silicon Limited）可达到114A，显示了其强大的电流承载能力。同时，典型的栅极电荷（Qg typical）为81nC，这意味着快速的开关速度和较低的开关损耗。 这款DirectFET® ISOMETRIC L8封装是英飞凌的独特设计，它具有与DPak（TO-252AA）相同的安装面积，但厚度只有0.7mm，大大减小了安装空间。这种封装兼容现有的电源应用布局几何，可以使用标准的PCB组装设备和焊接技术，如气相、红外或传导焊接。遵循应用笔记AN-1035中的制造方法和过程，可以确保良好的焊接质量和可靠性。 此外，DirectFET封装支持双面冷却，这意味着热量可以通过芯片的两面有效地散发出去，这对于提高汽车电源系统的热管理至关重要。这样的设计特别适合于要求高效能、高效率以及紧凑尺寸的汽车应用，例如电动汽车的动力总成系统、电池管理系统或车载充电器等。 总体而言，AUIRF7669L2TR是英飞凌推出的一款高性能、低功耗的汽车级功率MOSFET，它的创新封装技术和优秀的电气特性使其成为优化电源效率和提升系统可靠性的理想选择。在设计汽车电子系统时，这款芯片可以显著降低发热，提高整体性能，并满足汽车工业对小型化、高效能的需求。