19962AGM-VB：SOP8封装双N-Channel 60V MOSFET技术规格

"9962AGM-VB是一款由VBsemi生产的SOP8封装的双N-Channel场效应MOSFET，具有60V的耐压和6A的连续漏电流能力。其主要特点包括TrenchFET技术，100%的Rg和UIS测试，以及低栅极阈值电压Vth=1.5V。每个通道的RDS(ON)在VGS=10V时为27mΩ，VGS=20V时依然保持较低的电阻。这款器件适用于需要高效能开关或放大电路的场合。" 9962AGM-VB MOSFET是VBsemi公司推出的一款高性能半导体元件，主要用于电源管理、电机控制、负载开关等应用。它采用了SOP8（小外形封装）的封装形式，这种封装方式使得器件体积小巧，适合在空间有限的电路板上使用。同时，由于其内部包含两个独立的N-Channel沟道，因此可以同时驱动两个不同的负载或者并联使用以提高电流承载能力。 该MOSFET的最大特色是采用了TrenchFET技术，这是一种先进的沟槽型结构，通过在硅片上刻蚀出深沟槽来降低导通电阻，从而实现更高的效率和更低的发热。这种技术使得9962AGM-VB在保持小型化的同时，能提供优秀的电气性能。 在电气特性方面，9962AGM-VB的额定Drain-Source电压VDS为60V，这意味着它可以承受高达60V的电压差。其最大连续漏电流ID在25°C时为6A，而在125°C时降至4A，这表明器件在高温环境下仍能保持良好的电流处理能力。RDS(ON)是衡量MOSFET导通电阻的重要参数，9962AGM-VB在VGS=10V和20V时的RDS(ON)分别为27mΩ，这表示在这些电压下，器件在导通状态下的电阻非常低，能有效降低导通损耗。 门极-源极电压GS的最大值为±20V，这意味着门极可以接受正负20V的电压，确保了器件在正常工作范围内的稳定性。此外，该MOSFET还进行了100%的Rg和UIS测试，以确保其在应用中的可靠性和安全性。Rg测试验证了门极电阻的稳定，而UIS测试则检验了器件在过电压条件下的抗冲击能力。 在热性能方面，9962AGM-VB的结壳热阻RthJA为110°C/W，这意味着当器件表面温度与环境温度相差110°C时，每瓦功耗会导致结温升高1°C。这个数值对于选择合适的散热方案非常重要，确保MOSFET在大电流工作时不会过热。 9962AGM-VB是一款高效率、低电阻的双通道N-Channel MOSFET，特别适合于需要高效能和小型化解决方案的电子设计。其独特的TrenchFET技术、优异的电气性能和可靠的热特性使其成为许多工业、汽车和消费电子应用的理想选择。