TS3L501E: 8-Channel SPDT/16-Bit to 8-Bit Multiplexer-Demultiplex...
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更新于2024-06-28
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"TI-TS3L501E.pdf 是一份来自Texas Instruments（TI）的数据手册，主要介绍了一款名为TS3L501E的8通道SPDT（单刀双掷）/16位到8位多路复用器和解复用器。该器件特别适用于以太网LAN（局域网）交换，并具有电源关闭模式。"
TS3L501E是TI公司设计的一款高性能模拟开关，其主要特性包括：
1. **集成电源关闭模式（Power-Down Mode）**：该功能允许在不需要时关闭设备，以降低系统功耗，提高能效。
2. **宽带宽（BW=600MHz典型值）**：这表明TS3L501E可以处理高达600MHz的信号频率，适合高速数据传输应用。
3. **低串扰（XTALK= -37dB典型值，在250MHz时）**：低串扰意味着在不同通道之间信号干扰小，确保了信号的纯净度和准确性。
4. **低通道间延迟 skew（tsk(o)=100ps最大值）**：这意味着各通道间的切换时间差异很小，保证了信号同步性。
5. **低且平坦的导通电阻（ron=4Ω典型，ron(flat)=0.5Ω典型）**：低导通电阻意味着在开关状态下的信号损失小，信号传输效率高。
6. **低输入和输出电容（CON=9pF典型值）**：低电容减少了信号响应时间和失真。
7. **数据I/O端口的轨到轨切换（0V至3.6V）**：这表示开关可以在电源电压范围内全范围工作，提供更大的动态范围。
8. **VCC工作电压范围从3V到3.6V**：这个电压范围确保了在各种电源条件下的稳定工作。
9. **支持电源关闭功能（Power-Down）**：此功能使用户能够根据需要控制设备的电源状态，进一步优化能源管理。
此外，该手册还可能包含了关于封装、引脚配置、电气特性、操作条件、应用电路示例、测试条件、热性能以及相关的安全和合规信息。对于设计工程师来说，这些详细信息至关重要，可以帮助他们正确地在系统中集成TS3L501E，以实现高效、低干扰的信号路由和控制。在开发涉及高速数据传输、低功耗需求的以太网LAN应用时，TS3L501E是一个值得考虑的选择。
6
TS3L501E
SCDS307C –SEPTEMBER 2010 –REVISED DECEMBER 2017
www.ti.com
Product Folder Links: TS3L501E
Submit Documentation Feedback Copyright © 2010–2017, Texas Instruments Incorporated
(1) For more information about traditional and new thermal metrics, see the Semiconductor and IC Package Thermal Metrics application
report.
(2) The package thermal impedance is calculated in accordance with JESD 51-7.
6.4 Thermal Information
THERMAL METRIC
(1)
TS3L501E
UNITRUA (WQFN)
42 PINS
R
θJA
Junction-to-ambient thermal resistance
(2)
30.9 °C/W
R
θJC(top)
Junction-to-case (top) thermal resistance 12.8 °C/W
R
θJB
Junction-to-board thermal resistance 5.2 °C/W
ψ
JT
Junction-to-top characterization parameter 0.2 °C/W
ψ
JB
Junction-to-board characterization parameter 5 °C/W
R
θJC(bot)
Junction-to-case (bottom) thermal resistance 1.5 °C/W
(1) V
I
, V
O
, I
I
, and I
O
refer to I/O pins. V
IN
refers to the control inputs.
(2) All typical values are at V
DD
= 3.3 V (unless otherwise noted), T
A
= 25°C.
(3) r
on(flat)
is the difference of r
on
in a given channel at specified voltages.
(4) Δr
on
is the difference of r
on
from center (A
4
, A
5
) ports to any other port.
6.5 Electrical Characteristics for 1000 Base-T Ethernet Switching
for 1000 Base-T Ethernet switching over recommended operating free-air temperature range, V
DD
= 3.3 V ± 0.3 V
(unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS
(1)
MIN TYP
(2)
MAX UNIT
V
IK
SEL, PD V
DD
= 3.6 V, I
IN
= –18 mA –0.7 –1.2 V
I
IH
SEL, PD V
DD
= 3.6 V, V
IN
= V
DD
±2 μA
I
IL
SEL, PD V
DD
= 3.6 V, V
IN
= GND ±1 μA
I
OFF
SEL, PD V
DD
= 0 V, V
IN
= 0 to 3.6 V ±1 μA
I
CC
V
DD
= 3.6 V, I
I/O
= 0, switch ON or OFF 250 600 μA
I
CC_PD
V
DD
= 3.6 V, V
IN
= 3.6 V, PD = high 1
C
IN
SEL, PD f = 1 MHz, V
IN
= 0 2.6 3 pF
C
OFF
B or C port V
I
= 0,f = 1 MHz, outputs open, switch OFF 3 4 pF
C
ON
V
I
= 0,f = 1 MHz, outputs open, switch ON 9 9.8 pF
r
on
V
DD
= 3 V, 1.5 V ≤ V
I
≤ V
DD
, I
O
= –40 mA 4 8 Ω
r
on(flat)
(3)
V
DD
= 3 V, V
I
= 1.5 V and V
DD
, I
O
= –40 mA 0.7 Ω
Δr
on
(4)
V
DD
= 3 V, 1.5 V ≤ V
I
≤ V
DD
, I
O
= –40 mA 0.8 1.5 Ω
(1) V
I
, V
O
, I
I
, and I
O
refer to I/O pins. V
IN
refers to the control inputs.
(2) All typical values are at V
DD
= 3.3 V (unless otherwise noted), T
A
= 25°C.
(3) r
on(flat)
is the difference of r
on
in a given channel at specified voltages.
(4) Δr
on
is the difference of r
on
from center (A
4
, A
5
) ports to any other port.
6.6 Electrical Characteristics for 10/100 Base-T Ethernet Switching
for 10/100 Base-T Ethernet switching over recommended operating free-air temperature range, V
DD
= 3.3 V ± 0.3 V
(unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS
(1)
MIN TYP
(2)
MAX UNIT
V
IK
SEL, PD V
DD
= 3.6 V, I
IN
= –18 mA –0.7 –1.2 V
I
IH
SEL, PD V
DD
= 3.6 V, V
IN
= V
DD
±2 μA
I
IL
SEL, PD V
DD
= 3.6 V, V
IN
= GND ±1 μA
I
OFF
SEL, PD V
DD
= 0 V, V
IN
= 0 to 3.6 V ±1 μA
I
CC
V
DD
= 3.6 V, I
I/O
= 0, switch ON or OFF 250 600 μA
I
CC_PD
V
DD
= 3.6 V, V
IN
= 3.6 V, PD = high 1
C
IN
SEL, PD f = 1 MHz, V
IN
= 0 2.6 3.0 pF
C
OFF
B or C port V
I
= 0,f = 10 MHz, outputs open, switch OFF 3 4 pF
C
ON
V
I
= 0,f = 10 MHz, outputs open, switch ON 9 9.8 pF
r
on
V
DD
= 3 V, 1.25 V ≤ V
I
≤ V
DD
, I
O
= –10 mA to –30 mA 4 6 Ω
r
on(flat)
(3)
V
DD
= 3 V, V
I
= 1.25 V and V
DD
, I
O
= –10 mA to –30 mA 0.5 Ω
Δr
on
(4)
V
DD
= 3 V, 1.25 V ≤ V
I
≤ V
DD
, I
O
= –10 mA to –30 mA 0.8 1.5 Ω
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