FR420-VB:N沟道MOS管,低门极电荷,高耐压

0 下载量 171 浏览量 更新于2024-08-03 收藏 621KB PDF 举报
"FR420-VB是一种N沟道TO252封装的MOS场效应晶体管,具有低栅极电荷、高耐压和优化的动态性能。这款器件适用于需要简单驱动要求且对耐用性和稳定性有较高要求的电路设计。" FR420-VB MOSFET是一款高性能的电力MOS场效应晶体管,其主要特点包括: 1. **低栅极电荷(Qg)**:低栅极电荷意味着该MOSFET需要较小的驱动电流来控制开关操作,简化了驱动电路的设计,降低了系统功耗。 2. **增强的门极、雪崩和动态dv/dt耐受性**:这表明FR420-VB能够在恶劣的工作条件下保持稳定,能承受较高的电压变化速率,增强了其在高速切换应用中的可靠性。 3. **全面的电容和雪崩电压及电流特性**:这些特性确保了MOSFET在不同工作状态下的稳定性和可预测性,方便工程师进行精确的电路设计和故障分析。 4. **符合RoHS指令**:FR420-VB符合欧盟的RoHS标准,意味着它不含有六种有害物质,有利于环保。 产品参数概览: - **额定漏源电压(VDS)**:650V,表示MOSFET可以在高达650V的电压下正常工作。 - **开启电压下(VGS=10V)的漏源导通电阻(RDS(on))**:2.1Ω,这是在10V的栅极电压下,漏极到源极的电阻,决定了器件在导通状态下的功率损失。 - **最大栅极电荷(Qg)**:48nC,决定了开关速度和驱动电源需求。 - **脉冲漏极电流(IDM)**:18A,是允许的最大脉冲电流,但需注意重复脉冲时的结温限制。 - **单脉冲雪崩能量(EAS)**:325mJ,表示在安全范围内MOSFET可以承受的单次雪崩能量。 - **连续漏极电流(ID)**:在25°C时为3.2A,100°C时为4.2A,随着温度升高,电流能力线性下降。 绝对最大额定值: - **漏源电压(VDS)**:650V。 - **栅源电压(VGS)**:±30V,保证了MOSFET的安全工作范围。 - **连续漏极电流(ID)**:随温度变化,最高可达4.2A,且必须保证结温不超过150°C。 这些参数对于理解和应用FR420-VB MOSFET至关重要,设计师可以根据这些特性选择合适的工作条件,确保设备的可靠运行。在实际应用中,例如电源管理、电机驱动、开关电源等场景,FR420-VB因其良好的电气特性和封装形式,提供了高效、可靠的解决方案。