TI OMAP4系列使用的8Gb LPDDR2内存模块-EDB8064B2PB-8D-F规格详解

EDB8064B2PB-8D-F 是一款由Elpida生产的8Gb LPDDR2 (低功耗双倍数据速率同步动态随机存取内存)芯片，适用于TI OMAP4系列处理器。该芯片设计用于移动设备，提供高效能和低能耗的存储解决方案。 详细说明: 1. **密度**: EDB8064B2PB-8D-F具有8Gbits的存储容量，这意味着它能提供大量的内存空间供系统使用。 2. **组织结构**: 内存被组织为4片2Gb（8Mwords×32bits×8banks）的结构，每个包内包含4个2Gb的设备。此外，它采用独立的2通道总线设计，每4Gb一个通道。 3. **数据速率**: 这款LPDDR2内存的最大数据传输速率为800Mbps，这使得它在处理大量数据时能够快速响应。 4. **封装**: 采用216球脚扁平封装(BGA)，封装尺寸为12.0mm×12.0mm，球间距为0.4mm。封装是无铅且符合RoHS标准，同时也符合卤素免费的要求，确保了环保和兼容性。 5. **电源供应**: 内存需要两个不同的电压供应，VDD1的范围是1.70V到1.95V，VDD2和VDDQ的范围是1.14V到1.30V。 6. **接口**: 该芯片使用HSUL_12接口，这是一种高速、低功耗的接口标准，适合移动设备的需求。 7. **工作温度范围**: 允许的操作环境温度范围为-30°C到+85°C，保证了在各种气候条件下的稳定运行。 8. **特性**: - 遵循JEDEC LPDDR2-S4B标准，确保与业界广泛接受的规范兼容。 - 不包含DLL（延迟锁相环），有助于降低功耗和简化设计。 - 低功耗设计，减少电池消耗。 - 支持移动RAM功能，如部分数组自刷新(PASR)、自动温度补偿自刷新(ATCSR)通过内置温度传感器实现、深度休眠模式以及按银行刷新。 - 适合封装在包中包(PoP)结构，便于在紧凑的移动设备上集成。 9. **引脚布局**: 包含地址线、数据线、时钟线、片选线、数据使能线、数据校验线、时钟使能线、深度休眠线等，确保数据传输的准确性和控制的灵活性。 10. **应用**: EDB8064B2PB-8D-F特别适合于需要高性能内存的移动设备，如智能手机和平板电脑，特别是在使用TI OMAP4系列处理器的系统中，提供高效的内存支持。 EDB8064B2PB-8D-F是一款专为移动设备设计的高性能、低功耗LPDDR2内存芯片，其高数据速率、优化的封装和节能特性使其成为现代移动设备的理想选择。