2N5883:高性能大功率互补硅晶体管数据手册
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更新于2024-09-19
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"2N5883数据手册是关于大功率二极管的参考资料,主要涵盖了2N5883、2N5884、2N5885和2N5886这四款器件。这些器件是互补硅制的高功率晶体管,适用于通用电源放大器和开关应用。"
这篇数据手册详细介绍了2N5883等四款晶体管的主要特性和最大额定值。以下是对这些关键知识点的深入解析:
1. **低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))**:在最大电流IC=15Adc时,2N5883的VCE(sat)仅为1.0Vdc,这意味着在高电流工作状态下,该器件能保持较低的压降,从而提高效率。
2. **低泄漏电流(ICEX)**:在额定电压下,泄漏电流的最大值为1.0mAdc。低泄漏电流意味着在非导通状态下,器件的电流损耗较小,有助于提高系统的整体性能。
3. **直流电流增益(hFE)**:在IC=10Adc时,hFE的最小值为20。较高的hFE表示晶体管在放大电路中能提供较好的电流放大效果。
4. **电流增益带宽乘积(fT)**:在IC=1.0Adc时,fT的最小值为4.0MHz。这是衡量晶体管高频性能的重要参数,高值意味着器件在高频应用中具有更好的响应速度。
5. **最大额定值**:手册列出了四款晶体管的关键电气参数限制,如集电极-发射极电压(VCEO)和集电极-基极电压(VCB)。2N5883和2N5885的VCEO为60V,2N5884和2N5886的VCEO为80V,而所有型号的VCB并未给出具体数值。这些数值是保证器件安全操作的极限值,超过了可能会导致器件损坏。
此外,数据手册还可能包含更多信息,如热特性、封装信息、电气特性曲线、推荐的工作条件等。这些参数对于正确设计和选择合适的晶体管至关重要,以确保电路的稳定性和可靠性。同时,提到的“Pb-Free Packages are Available*”表明这些器件也提供了无铅封装选项,符合现代环保标准。
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