HY62SF16806A：512Kx16bit低功耗CMOS SRAM技术规格

"HYNIX-HY62SF16806A.pdf 是一份关于Hynix Semiconductor生产的HY62SF16806A系列512Kx16位超低功耗全CMOS静态随机存取存储器（SRAM）的详细产品描述文档。" 该文档详细介绍了HY62SF16806A系列内存芯片的主要特性、规格参数以及修订历史。这款512Kx16bit的1.8V超低功耗全CMOS慢速SRAM是基于高性能全CMOS工艺技术设计的，旨在提供高速度和低功耗的解决方案，特别适用于高密度低功耗系统应用。 在功能描述部分，HY62SF16806A被组织为524,288个16位字，总计8Mbit的存储容量。它具有数据保留模式，这使得在特定条件下即使在电源关闭时也能保持数据不丢失。这对于需要长时间保存数据但又要求低功耗的设备非常有用。 在修订历史中，我们可以看到文档经历了多次更新： - Rev.00：初始草稿，发布于2001年4月10日，标记为初步版本。 - Rev.01：主要更改了公司标识，将“Hyundai”更改为“Hynix”，日期为2001年4月28日。 - Rev.02：AC参数进行了调整，包括`tCHZ`、`tBHZ`和`tOHZ`，这三个时间参数从30ns缩短至20ns，更新日期为2001年7月18日。 - Rev.03：DC参数和AC参数都有所变动，`Icc1(1us)`从5mA降低到4mA，数据保留电流`IccDR(LL)`从25uA降低到15uA，同时`tOE`（输出使能时间）从40ns缩短至35ns，更新日期为2002年1月28日。 这些修订反映了产品性能的优化和功耗的进一步降低，以适应不断发展的电子设备需求。 HY62SF16806A是一款针对高效能、低功耗需求设计的SRAM，适用于那些对速度、功耗和数据保留有严格要求的应用场景，如便携式设备、嵌入式系统和电池供电设备等。其持续的技术改进确保了产品的竞争力和市场适应性。