微处理器教材《微处理器系统结构与嵌入式设计》勘误与重点知识点梳理

需积分: 14 0 下载量 185 浏览量 更新于2024-09-13 收藏 529KB DOC 举报
《微处理器系统结构与嵌入式系统设计(第二版)》是一本深入介绍微机原理和嵌入式系统设计的专业教材,然而,正如《微机原理勘误表》所揭示的,该教材在编写过程中存在一些错误,需要读者在学习过程中注意校正。以下是一些具体错误和建议: 1. **页33**:倒数第三行,原文提到“应该首先将该存储单元的”后缺少了“地址”,应修正为“应该首先将该存储单元的地址”。这样强调了在数据传输时地址的重要性。 2. **页63**: - 正数第四行:误将“MDR”写成了“MBR”,这可能是存储器地址寄存器(Memory Data Register)和内存缓冲区寄存器(Memory Buffer Register)的混淆,需明确区分。 - 倒数第五行:指出处理器与内存的配合是必要的,纠正为“处理器要和内存相互配合”。 3. **页65**:图3-8的“2.处理器内各模块间的互连”部分,建议读者同时参阅图3-7和图3-8以获得更清晰的理解。 4. **页66**:对指令周期的描述可能存在不准确之处,建议查看修订后的解释。 5. **页81**:图3-29中的地址表示有误,应根据提供的修订信息进行更新。 6. **页88-89**:关于连续处理指令的吞吐量和效率计算,可能存在公式或解释错误,需要按照修订内容进行理解。 7. **页104**:倒数第十五行,关于主存储器读取字节数的时间描述有误,实际需要2个总线周期,而非3个。 8. **页122-123**:表4-7中第四行第一列的信号取值有误,应根据修订后的值进行理解。 9. **页127**:在列出的通信协议中,误将SPI与CAN的位置颠倒,正确的顺序应该是I2C、SPI、RS232、RS485等。 10. **页136**:SRAM的基本存储单元描述不完整,应说明是由MOS管构成的双稳态电路。 11. **页142**:图5-5(c)的注释中,M的含义可能需要修正或进一步解释。 《微处理器系统结构与嵌入式系统设计(第二版)》的勘误表提供了关键的修订信息,读者在学习时需结合这些修正内容,确保对微机原理的理解准确无误。同时,如果发现其他未列出的错误,可以联系yanboyu@uestc.edu.cn提供反馈,以帮助教材的完善。