FM24C512-G: 512Kb铁电非易失性RAM规格与驱动介绍

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"FM24C512-G是一款512K位的铁电非易失性RAM,由Ramtron International Corporation制造。该芯片具备高耐久性,可进行100亿次读写操作,并有45年的数据保留能力。它采用高速两线制串行接口,最大总线频率可达1MHz,同时也兼容100kHz和400kHz的旧版时序。FM24C512设计为低功耗,工作于5V电源,活动电流为250微安,待机电流为120微安,适用于工业温度范围(-40°C to +85°C),并封装在8-pin Green/RoHS EIAJ SOIC封装中。" FM24C512-G是铁电随机存取存储器(FRAM)的一种,这是一种非易失性存储技术,它结合了RAM的高速读写性能与闪存的非易失性特性。这种芯片有512K位的存储容量,即65,536个8位字节,适合用于需要快速存取且数据保存重要的应用中。 铁电材料是FRAM的核心,这种材料能够保持电荷状态,即使在没有电源的情况下也能保持数据。因此,FM24C512-G可以在断电后依然保持其存储的数据,提供了长达45年的数据保留时间,这远超过传统的非易失性存储器如EPROM和EEPROM。 该芯片采用了一个快速的两线制串行接口,允许通过两条信号线实现高效的通信。最高总线频率可达1MHz,这使得它在需要快速数据传输的场合下表现出色。同时,为了兼容旧系统,FM24C512-G也支持100kHz和400kHz的传统时序。 在功耗方面,FM24C512-G的设计考虑了节能。在活动模式下,它仅消耗250微安的电流,而在待机状态下,电流下降到120微安,这对于电池供电或对能耗敏感的应用来说非常理想。此外,该器件的工作温度范围覆盖了工业级标准,可在-40°C到+85°C的环境中稳定运行。 封装方面,FM24C512-G采用8引脚的绿色/无铅EIAJ小外形集成电路(SOIC)封装,符合环保标准RoHS,这意味着它不含铅和其他有害物质,易于在各种电子设备中集成。 FM24C512-G是一款高性能、低功耗、非易失性的存储解决方案,适用于需要高速读写和长期数据保留的工业和嵌入式系统应用。其独特的铁电技术解决了传统非易失性存储器在耐用性和速度上的局限,提供了一种高效、可靠的存储选择。